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半导体碳化硅的研究现状与应用前景
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摘要
综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状;讨论了原子层外延法生长β-SiC薄膜及液相外延法制备蓝色α-SiC发光管工艺,展望了半导体碳化硅材料的发展前景。
作者
李玉增
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期204-210,217,共8页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
碳化硅材料(α-SiC
β-SiC)
原子层外延(ALE)
蓝色发光管(LED)
液相外延(LPE)
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
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