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半导体碳化硅的研究现状与应用前景 被引量:4

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摘要 综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状;讨论了原子层外延法生长β-SiC薄膜及液相外延法制备蓝色α-SiC发光管工艺,展望了半导体碳化硅材料的发展前景。
作者 李玉增
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期204-210,217,共8页 Chinese Journal of Rare Metals
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