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非易失性存储器应用的一种6H-SiC垂直集成的双极存储单元

A Vertically Integrated Bipolar Storage Cell in 6H Silicor Carbide for Nonvolatile Memory Applications
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摘要 在宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料上,将一个npn双极存取晶体管和一个pnp存储电容器合并成垂直集成的一晶体管存储单元,大大地降低了热产生速率,通过将高温下获得的电荷恢复数据外推,表明该存储器单元的室温恢复时间可超过106年。 Abstract
作者 相元兰
出处 《半导体情报》 1996年第3期48-50,共3页 Semiconductor Information
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