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非易失性存储器应用的一种6H-SiC垂直集成的双极存储单元
A Vertically Integrated Bipolar Storage Cell in 6H Silicor Carbide for Nonvolatile Memory Applications
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摘要
在宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料上,将一个npn双极存取晶体管和一个pnp存储电容器合并成垂直集成的一晶体管存储单元,大大地降低了热产生速率,通过将高温下获得的电荷恢复数据外推,表明该存储器单元的室温恢复时间可超过106年。
Abstract
作者
相元兰
出处
《半导体情报》
1996年第3期48-50,共3页
Semiconductor Information
关键词
非易失性存储器
双极存储单元
碳化硅
分类号
TP333.51 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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