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脉冲法测试静电感应晶体管极间电容

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摘要 求解S1T对阶跃信号的响应,寻找出各极间电容对上升时间t_r的影响,以此为基础,推算各极间电容,分离出器件线性区的C_(GS)、C_(GD)。实测表明,在器件沟道夹断后,C_(GS)随I_D的上升而略有增加,而不是常规测试的恒定值。
作者 张晓明
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期61-64,共4页 Semiconductor Technology
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