LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响

下载PDF

导出

摘要用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了[EL_2]分布不均匀性的机理。

作者杨瑞霞李光平华庆恒

机构地区河北工学院电气工程系天津电子材料研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期55-58,共4页 Semiconductor Technology

关键词 LEC GAAS 杂质缺陷分布 EL分布

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1杨瑞霞,付濬,李光平.LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响[J].半导体技术,1991,7(5):62-64.
2杨瑞霞,李光平.未掺杂半绝缘LECGaAs主要特性参数及其与集成电路性能的关系[J].河北工学院学报,1992,21(1):73-78.
3李光平,杨瑞霞.热处理改善未掺杂LEC　GaAs中EL2分布均匀性的机理研究[J].半导体杂志,1994,19(2):12-14.
4肖滢滢,黄庆安,王建华.硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系[J].微纳电子技术,2004,41(12):36-40.
5杨瑞霞.未掺杂LECGaAs的补偿机理及相关缺陷[J].电子与自动化仪表信息,1991(5):20-24.
6贾晓华,杨瑞霞,于海霞,张富强.未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系[J].河北工业大学学报,1999,28(5):59-63.
7杨瑞霞,李光平,汝琼娜,李静,罗晋生.热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC　GaAs的均匀性[J].固体电子学研究与进展,1996,16(1):68-74. 被引量：2
8杨瑞霞,付濬,李光平.非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究[J].电子科学学刊,1995,17(1):92-97. 被引量：1
9Stuart Riley.一种基于芯片的成品率分析简化方法[J].集成电路应用,2007,24(10):30-31.
10赵天绪,马佩军,郝跃.划分IC缺陷团的聚类算法[J].计算机学报,2002,25(6):661-665.

半导体技术

1990年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史