热处理改善未掺杂LEC　GaAs中EL2分布均匀性的机理研究

下载PDF

导出

摘要本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理．

作者李光平杨瑞霞

机构地区电子部四十六所

出处《半导体杂志》 1994年第2期12-14,共3页

关键词砷化铵热处理 EL2

1杨瑞霞,付濬,李光平.非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究[J].电子科学学刊,1995,17(1):92-97. 被引量：1
2杨瑞霞,付濬,李光平.LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响[J].半导体技术,1991,7(5):62-64.
3杨瑞霞,李光平.未掺杂半绝缘LECGaAs主要特性参数及其与集成电路性能的关系[J].河北工学院学报,1992,21(1):73-78.
4杨瑞霞.未掺杂LECGaAs的补偿机理及相关缺陷[J].电子与自动化仪表信息,1991(5):20-24.
5贾晓华,杨瑞霞,于海霞,张富强.未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系[J].河北工业大学学报,1999,28(5):59-63.
6杨瑞霞,李光平,汝琼娜,李静,罗晋生.热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC　GaAs的均匀性[J].固体电子学研究与进展,1996,16(1):68-74. 被引量：2
7戴明,缪庆元,何平安,王宝龙,何秀贞,骆意.混合应变多量子阱实现折射率变化低偏振相关的理论分析[J].光学与光电技术,2016,14(2):64-69.
8杨瑞霞,付浚,于明,于海霞,张富强.杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响[J].半导体杂志,2000,25(4):5-11.
9杨瑞霞,贾晓华,付浚,李光平.非掺杂半绝缘LECGaAs中深施主缺陷对注入硅激活率的影响[J].河北工业大学学报,1999,28(1):52-54.
10杨瑞霞,李光平,华庆恒.LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响[J].半导体技术,1990,6(3):55-58.

半导体杂志

1994年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...