光CVD原理及装置
-
1程开富.光 CVDSiO_2钝化膜在红外探测器中的应用[J].半导体光电,1989,10(2):79-84.
-
2孙建诚.低温光CVD-SiO_2及SiN薄膜的研究[J].半导体技术,1989,5(2):7-14.
-
3景俊海,孙青.Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究[J].材料科学进展,1991,5(2):164-168.
-
4汪师俊,蔡琪玉,沈天慧.光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质[J].微电子学与计算机,1993,10(3):45-48.
-
5谢茂浓,杜开瑛,刘玉荣.工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO_2/Si界面特性的影响[J].微电子学,1998,28(3):172-175.
-
6谢茂浓,杜开瑛,刘玉荣.工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响[J].半导体技术,1998,23(6):23-26.
-
7郭述文,朱基千,谭淞生,王渭源.氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜[J].Journal of Semiconductors,1989,10(10):769-774. 被引量：1
-
8王兴民,孙建诚.光CVD系统气流模式分析[J].微电子学与计算机,1993,10(11):42-43.
-
9张侃,叶志镇.硅外延发展趋势[J].材料科学与工程,1995,13(3):8-13. 被引量：1
-
10XU Feng,HU Haifeng,ZUO Dunwen,XU Chun,QING Zhenghua,WANG Min.Numerical Analysis of Nd:YAG Pulsed Laser Polishing CVD Self-standing Diamond Film[J].Chinese Journal of Mechanical Engineering,2013,26(1):121-127. 被引量：8
;
