期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

UDMOSFET特征导通电阻物理模型 被引量：1

A Specific Physical Model On-resistance of UDMOSFET
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻()与结构参数的关系,给出了的数学模型.该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点. The article introduces the structure and work theory of UDMOSFET, and emphatically discusses the connection between the specific on- resistance （Rona） and structural parameters, then shows the mathematical model of Rona which is simple, exact and convenient.
作者 王洪岩 王中文
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第1期46-48,共3页 Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
关键词 UDMOSFET 导通电阻 特征电阻 UDMOSFET on - state resistance special resistance.
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

  • 1Shuming Xu, C Ren. Theoretical Analysis and Experimental Characterization of the Dummy - Gated VDMOSFET[ J ]. IEEE Trans. Electron Dev. 2001, ED-48.2168.
  • 2J ReboUo, E Figueras. Analysis of the Quasi - Satuaration Region of High Voltage VDMOS Devices[J]. Solid - State Electronics, 1987,30 : 177.
  • 3Jacinto Paredes, Salvador Hidalgo. A Steady - State VDMOS Transistor Model [ J ]. IEEE Tram Electron Devices, 1992, ED - 39:712.
  • 4Chin- yu Tsai, Dorothea E. Burk, Khai D T Ngo.Physical Modeling of the Power VDMOST for Computer-Aided Design of Integrated Circuit [ J ]. IEEE Trans. Electron Devices, 1997 ,ED -44:472.
  • 5S C Sun, J ames D Plummer. Modeling of the On -Resistance of LDMOS, VDMOS and VMOS Power Transistors [ J ]. IEEE Trans. Electron Dev. 1980, ED- 27:356.
  • 6石广源,孙正地,高嵩,王中文,张颖.低压VDMOSFET'Ron的最佳比例设计研究[J].微电子学与计算机,2002,19(12):56-58. 被引量：13

二级参考文献7

  • 1Krishna Shenai,Charles S Korman, et al. IEEE ElectronL Devic Letters, 1989,10(3):101～103.
  • 2Krishna Shenai. IEEE Transactions On Electron Devices,1990,37(4):1141～1151.
  • 3Krishna Shenai. IEEE Transactions on Electron Devices,1992,39(5): 1252-1254.
  • 4Kevin J Fischer, Krishna Shenai. IEEE Transactions On Electron Devices, 1995,42(3):555～563.
  • 5S C SUN and James D Plummer. IEEE Transactions On Electron Devic,1980,27(2):356～366.
  • 6J Rebollo,E Figueras,et al. Solid-State Electronics,1987,30(2): 177-180.
  • 7Xing-Bi Chen, Senior Member, et al. IEEE Transactions On Electron Devices,2001,48(2):344～348.

共引文献12

同被引文献13

  • 1姚丰,何杞鑫,方邵华.一种新型低压功率MOSFET结构分析[J].半导体技术,2005,30(11):53-56. 被引量：6
  • 2陈龙,沈克强.VDMOS场效应晶体管的研究与进展[J].电子器件,2006,29(1):290-295. 被引量：19
  • 3苏延芬,刘英坤.Trench MOSFET的研究与进展[J].半导体技术,2007,32(4):277-280. 被引量：12
  • 4HIDEFUMI T, KYOSUKE M, KIMIMORI H, et al. Floating island and thick bottom oxide trench gate MOSFET (FITMOS) - a 60 V ultra low on-resistance novel MOSFET with superior internal body diode[ C]/f Proc 17 Int Syrup Power Semicond Dev & IC' s. Santa Barbara: CA, 2005 : 43-46.
  • 5VAN DEN HEUVEL M G L, HUETING R J E, HIJZEN E A, et al. Improved method for determining inversion layer mobility of electrons in trench MOSFETs[J]. IEEE Proc Circ Dev Syst, 2004, 151 (3) : 225-230.
  • 6KIM J, KIM S G, ROH T M, et al. High-density trench gate DMOSFETS with trench contact structure[ J]. Elec Lett, 2004, 40(11) : 699-700.
  • 7ALVES S. Verticla N-chnnel FLIMOSFETs for Future 12 V/42 V dual batteries automotive applications[ C ] ,//ISPSD' 2003. Cambridge: Marcel Dekker, 2003 : 308-311.
  • 8SODHI R. High-density ultra-low Rdson 30 Volt N-channel trench FETs for DC/DC converter applications [ C ]//ISPSD'99. Toronto, Ont: Hindawi, 1999: 307-310.
  • 9BAI Y. Novel automated optimization of power MOSFET for 12 V input, high-frequency DC/DC converter[ C]//'ISPSD'2003. Cambridge: Marcel Dekker, 2003 : 366-369.
  • 10Ⅱ -YONG P. Novel process techniques for fabricating high density trench MOSFETs with self-aligned N +/P + source formed on the trench side wall[ C]////ISPSD'2003. Cambridge UK: Marcel Dekker, 2003: 169-172.

引证文献1

二级引证文献2

辽宁大学学报（自然科学版）
2006年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部