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掺硅对封闭碳纳米管尖端几何及电子结构影响的第一原理研究 被引量：9

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摘要 采用第一原理DMol方法研究了碳纳米管(CNT)尖端替代式掺Si对于几何结构及电子结构的影响.计算结果表明掺Si引入掺杂态,使管端整体局域态密度在费米能级附近有很大提高,在管端形成利于电荷积聚的原子尺度尖区,且发现加电场将使管端局域态密度图中的空态能级向费米能级以下移动.基于本文的电子态密度计算可预期碳纳米管顶端掺Si有利于场致电子发射特性.
作者 周俊哲 王崇愚
机构地区 清华大学物理系
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第24期2706-2712,共7页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金(批准号：9010l004)资助项目．
关键词 碳纳米管 掺杂 电子结构 场发射
分类号 O481 [理学—固体物理]
  • 相关文献

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同被引文献159

引证文献9

二级引证文献31

科学通报
2005年 第24期

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