摘要
本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得到的新结果在器件的优化设计及实际生产中的重要意义。
A two-dimensional numerical analysis program of the high-voltage planar silicon devices with field limiting rings is presented. The theory and numerical method are introduced. Also given are some new results in analyzing the voltage property of the high-voltage devices.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期155-160,共6页
Research & Progress of SSE
