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CVD-SiC纤维的抗氧化性研究 被引量:1

Oxidation reistance of CVD-SiC filament
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摘要 研究了氧化温度及时间对CVD-SiC(W芯)纤维抗拉强度的影响,并利用XPS技术1)测试了不同氧化温度及时间下的纤维表面氧化产物SiO2的相对百分含量。结果表明,1000℃以下特别是850℃以下纤维具有优异的抗氧化性能,并且氧化温度对纤维的氧化程度的影响远远大于氧化时间对其的影响,氧化温度是导致纤维强度退化的主要因素。 Strength changes of CVD SiC(W) filament which occured as a result of heating in air at different temperatures and time have been evaluated. The changes of silica content in the filament surface with the aid of XPS analysis has also been determined. The results show that the filament has good oxidation resistance under 1000℃. The effect of temperature on oxidation is greater than that Of the time on oxidation. Oxidation temperature is the major factor of strength degradation.
作者 郑敏 张蓬洲
出处 《耐火材料》 CAS 北大核心 1996年第3期137-140,共4页 Refractories
基金 北京中关村地区联合分析测试中心资助
关键词 化学气相沉积 抗拉强度 碳化硅纤维 抗氧化性 Chemical vapor deposition Silicon carbide filament Tensile strength
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