摘要
使用常规的ＰＥＣＶＤ等离子体增强化学汽相沉积）沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜，并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料纳米硅薄膜的压阻特性．测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数Ｋ，其值可以达到８０，退火后Ｋ值会增加，电阻随压力呈良好的线性关系，但有较大滞后．并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析．本文对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值．
By employing the conventional PECVD deposition method, the nano-sized crystalline silicon films (nc-Si:H)are obtained and piezo-resistance effect of nc-Si:H on glass and silicon substrates is also studied. The resistance increases with annealing process linearly but has lag.The K values for two kinds of substrates are high and vary with annealing process.The maximum K value can reach 80.The result has significant value in designing and fabricating nc-Si:H piezo-sensitivity devices.
出处
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期84-87,共4页
Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics
基金
航空科学基金
关键词
硅膜
界面
压力灵敏度
纳米硅
晶态比
silicon films
interfaces
pressure
sensitivity
hysteretic effeet
nano-crystalline silicon
crystalline volumefraction
