介质—半导体接触的压敏特性
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2周志文,沈晓霞,李世国.降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展[J].半导体技术,2016,41(1):10-15.
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3季振国,周丽萍,毛启楠.TiO_2薄膜的制备及其压敏特性研究[J].半导体技术,2010,35(10):973-975.
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4徐廷献,薄占满,曲远方,鲁燕萍.复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性[J].天津大学学报,1994,27(6):698-706. 被引量：1
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8陈海芳,甘国友,严继康,张小文.纳米TiO_2添加剂对TiO_2压敏陶瓷性能的作用[J].半导体技术,2006,31(2):102-104. 被引量：4
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9金属与导电材料[J].电子科技文摘,2000(3):5-6.
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10困扰肖特基半导体50余年的难题或将被石墨烯破解[J].半导体信息,2017,0(1):11-12.
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