期刊文献+

光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系 被引量:2

RELATIONSHIP BETWEEN RESISTANCE AND DETECTIVITY OF PHOTOCONDUCTIVE HgCdTe DETECTORS
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 为描述光导HgCdTe探测器低温与室温不同的导电机构,本文定义了一个易于测量的参数γ——液氮温度与室温电阻之比.实验结果表明:多数情况下。 To describe different conductive mechanisms of PC HgCdTe detector at low temperature and room temperature,a parameter γ ,the ratio of the resistivity at liquid nitrogen temperature to that at room temperature was defined,which can be measured easily. The experiment results show that γ is closely correlated to the blackbody detectivity in most cases.
作者 姚英 梁宏林
机构地区 昆明物理研究所
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期195-198,共4页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
关键词 HGCDTE 光导探测器 器件电阻 红外探测 HgCdTe,PC detector,device resistance,detectivity, statistic character.
  • 相关文献

参考文献1

  • 1曾光丽,红外研究,1986年,5卷,6期,479页

同被引文献5

引证文献2

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部