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金属半导体氧化物气敏性能研究进展

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摘要简介金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术，探讨了掺杂作用的机理，列举对最典型半导体气敏元件的掺杂和对其灵敏度和选择性的影响作用。

作者姜涛吴一平

出处《信息与开发》 1995年第4期10-13,共4页

关键词 MOS 灵敏度金属氧化物半导体气敏性能

分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]

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2张桂成.国内外半导体气敏元件及传感器的新进展[J].上海半导体,1990(2):57-60.
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5金峰林.新型半导体气敏元件[J].传感器商情,1989(2):22-23.
6张鸿欣,单佩钧.半导体气敏元件内电势对测量的影响[J].传感器技术,1991(6):34-37.
7熊力,王金成,熊彤.半导体气敏元件基体材料的制备及特性[J].气象水文海洋仪器,2000,17(2):32-36. 被引量：2
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9易惠中.MOS气体传感器中的掺杂作用[J].贵金属,1992,13(3):63-72.
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信息与开发

1995年第4期

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