VLSI介质材料的研究动态和发展方向

下载PDF

导出

摘要本文闸述了当前在CMOS和DRAM中，柳氧化层、IMD、DRAM电容器三个方面所用的低介质常数和高介质常数材料的研究动态以及发展方向。

作者蔡菊荣

机构地区中国华晶电子集团公司技术支援中心

出处《微电子技术》 1995年第2期28-33,共6页 Microelectronic Technology

关键词 VLSI 介质材料介质制作工艺

1林子杰.一种新型RFID天线的仿真设计[J].电脑与电信,2010(1):26-27.
2洪雷萍.低介质常数材料的开发[J].微电子技术,1995,23(1):64-64.
3SONG QingWen,ZHANG YuMing,ZHANG YiMen,TANG XiaoYan,JIA RenXu.Atomic layer deposited high-k Hf_xAl_(1-x)O as an alternative gate dielectric for 4H-SiC MIS based transistors[J].Science China(Technological Sciences),2012,55(3):606-609. 被引量：1
4Tom R.Halfhill,马志强.采用真空来制作芯片[J].电子产品世界,2007,14(11):131-133.
5游斌.浅谈特性阻抗板的工程设计与制程控制[J].印制电路信息,2007,15(4):40-42. 被引量：1
6孟昭光,冉彦祥,叶志.影响4G PCB信号损耗因素分析[J].印制电路信息,2015,23(3):1-8. 被引量：1
7王建海,戴筠,方纬德.叠层介质谐振器的数值分析及应用[J].应用科学学报,1995,13(2):215-220.
8田丽,曹安照.影响印刷电路板(PCB)的特性阻抗的其它因素[J].自动化与仪器仪表,2003(5):44-45. 被引量：3
9蔡积庆.下一代PCB用高性能基材[J].印制电路信息,2011(8):17-23.
10岳阳.超远距离同频信号对超短波移动网的干扰[J].中国无线电,1995(4):30-30.

微电子技术

1995年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...