1.1μm波段InGaAsP/InP DH LED的新应用——硅少数载流子寿命的测试

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摘要本文介绍了1.1微米波段InGaAsP/InP DH LED作为硅少数载流子测试光源的必要性,论述了这一新应用的意义。介绍了1.09μm InGaAsP/InPDH大功率LED的研制要点。最后给出了应用结果,硅少子寿命测试仪由于采用了取代氙灯的新型光源而使国内外长期不能测试低寿命、低电阻率、大直径硅单晶的技术难题得以解决。

作者张万生李胜瑞

出处《半导体情报》 1989年第6期11-14,共4页 Semiconductor Information

关键词 1.1μm波段硅少子寿命测试

分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]

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