研究电子陷阱特性的雪崩注入法

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摘要本文介绍一种研究MIS电容介质膜电子陷阱特性的新型方法——雪崩热电子注入法.文章详细地讲述了雪崩注入法研究电子陷阱特性的实验装置和测试原理;具体给出了如何确定介质膜内的体电子陷阶密度、电子陷阱俘获截面和界面态陷阱状态等;指出了雪崩注入法的优缺点及其应用.

作者杨光有

机构地区华南理工大学物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期44-46,共3页 Semiconductor Technology

关键词电子陷阱雪崩注入电容介质膜

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半导体技术

1989年第6期

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