电子陷阱的雪崩注入测量方法

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摘要本文从俘获动力学出发,推导了荷电陷阱引起的平带电压变化量随时间变化的一般形式,并对SiO_2膜中的电子陷阱密度、能级和俘获截面进行了测量.结果表明测量陷阱密度时不能忽略激发因素的影响.

作者蔡跃明吕世骥

机构地区南京通信工程学院理化室东南大学微电子中心

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期32-34,共3页 Semiconductor Technology

关键词电子陷阱雪崩注入测量

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半导体技术

1989年第6期

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