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高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计

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摘要 高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.
作者 李中江 夏俊峰 刘美溶 薛发龙
机构地区 八七七厂
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期1-4,共4页 Semiconductor Technology
关键词 功率VDMOS 场效应晶体管 版图 设计
分类号 TN386.102 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
半导体技术
1989年 第6期

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