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三、四探针测试双极电路外延层电阻率的分析
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摘要
在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N^+、P/P^+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电阻率测试.双极电路所使用的外延片,在外延之前已作有局部埋层,这就不能完好地满足三、四探针的测试条件,如果用三、四探针测试这类外延片的电阻率,总会产生不同程度的误差.
作者
席奎德
机构地区
常州半导体厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期44-48,共5页
Semiconductor Technology
关键词
双极电路
外延层
电阻率
探针
测试
分类号
TN431.07 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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傅雄强,魏雅敏.
p型硅外延层电阻率的控制[J]
.微电子学,1994,24(4):49-52.
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吕浩.
集成电路探针测试程序的优化[J]
.集成电路应用,2001,18(1):17-19.
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盖锡民,王震宇.
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.宜春学院学报,2014,36(3):27-29.
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徐如清,董刚,黄炜炜,杨银堂.
多芯片组件基板测试的新型组合算法(英文)[J]
.电子器件,2007,30(6):2201-2204.
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.微电子学与计算机,2003,20(9):55-57.
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吴泳章,朱德平,张海民,鲁松年.
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.分析测试学报,1993,12(2):68-71.
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石俊生,孙以材.
方块电阻测试中的有限元理论[J]
.半导体情报,1996,33(6):30-33.
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半导体技术
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