摘要
硅器件和集成电路中广泛使用铝实现低阻的欧姆接触和内部互连线.长期的生产和实践证明铝金属化系统是成功的.小功率晶体管以及一般双极型数字电路,由于EB结较深,所以可以采用纯铝作为联线,在合金化时只要温度适当,不会烧坏EB结.但在中大规模电路及大功率管中,为了缩小芯片面积和提高性能,往往采用浅扩散和漂发射区工艺,而EB结短路成为主要困难,大部分短路现象是发生在铝硅合金化以后.为了解决这问题。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期49-51,共3页
Semiconductor Technology
