用MOMBE法低温生长重掺碳GaAs
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1褚连青.用叔丁基磷作为碳的自动掺杂源MOMBE法生长掺碳InP[J].电子材料快报,1995(11):6-7.
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2田中滋久,赵玉兰.利用MOMBE法生长InP晶体[J].光纤通信技术,1989(5):25-29.
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3青春.CCl4掺杂的GaN的MOMBE生长[J].电子材料快报,1995(9):17-18.
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4齐鸣,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,鹿岛秀夫,德光永辅,小长井诚.MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格[J].Journal of Semiconductors,1993,14(8):461-467.
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5师云怀.用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAs PN结二极管[J].液晶与显示,1991,11(4):33-36.
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6齐鸣,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,德光永辅,小长井诚.碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性[J].Journal of Semiconductors,1993,14(7):402-409.
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7齐鸣,罗晋生,白樫淳一,野崎真次,高桥清,德光永辅,小长井诚.重碳掺杂p型GaAs中纵光学声子与等离振子耦合模的Raman散射特性[J].物理学报,1993,42(6):963-968. 被引量:1
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