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横场Ising铁磁超晶格相图
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摘要
本文在相关有效场理论的框架内,对横场中的自旋S=1的铁磁超晶格的临界性质做了研究,并通过数值解考察了横场对临界界面交换耦合的影响,得到了各种参数条件下的超晶格的相图。
作者
吴银忠
仲嘉霖
机构地区
常熟高专物理系
出处
《常熟高专学报》
1995年第1期9-14,共6页
Journal of Changshu College
关键词
横场伊辛模型
铁磁超晶格
超晶格
临界性质
相图
分类号
O472.2 [理学—半导体物理]
O414.21 [理学—理论物理]
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常熟高专学报
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