摘要
目的探讨精神分裂症治疗前后认知性电位P300主要指标尤其峰间潜伏期的变化,推断其是精神分裂症素质性指标,还是状态性指标。方法对35例精神分裂症和35名正常人CZ、C3、C4电极位置的P300进行对照研究。并进一步观察药物治疗1月达临床缓解后,精神分裂症患者P300成分的变化。结果治疗前与正常对照组相比,精神分裂症组在CZ、C3、C4点P3波幅低(P<0·01);N2潜伏期延长(P<0·01);P2-N2峰间潜伏期延长(P<0·01或0·05);N2-P3峰间潜伏期缩短(P<0·01)。P2潜伏期延长仅出现在CZ、C4点(P<0·05)。经1月抗精神病药物治疗达到临床症状缓解后的精神分裂症患者较正常对照组在CZ、C3、C4点仍显示P3波幅显著降低(P<或=0·01);N2潜伏期延长遗留于CZ、C3点(P<0·05);N2-P3峰间潜伏期缩短遗留于C3点(P<0·05);P2潜伏期延长遗留于C4点(P<0·05);P2-N2峰间潜伏期在各位点差异均不再有显著性。精神分裂症患者治疗前较治疗后C3点P2-N2峰间潜伏期明显缩短,恢复到与正常对照组差异无显著性。结论精神分裂症患者治疗前P3波幅低平,P2-N2峰间潜伏期延长,N2-P3峰间潜伏期缩短;P3波幅低平、N2潜伏期延长和N2-P3峰间潜伏期缩短在治疗后遗留于不同脑区,可能是反应精神分裂症家族大脑异常的素质性指标;P2-N2峰间潜伏期延长随临床症状的改善而改善,可能是代表精神分裂症急性期脑功能紊乱的状态性指标。
出处
《山西医科大学学报》
CAS
2005年第3期333-335,共3页
Journal of Shanxi Medical University
