单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展

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摘要单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等；并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型，包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等；另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。

作者刘俊朋杜希文孙景鲁颖炜

机构地区天津大学材料学院

出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期225-226,229,共3页 Materials Reports

关键词半导体量子点光致发光性能元素研究进展射频磁控溅射技术化学气相沉积法离子注入技术溶胶-凝胶法量子限制效应光电集成制备方法机理模型效应模型激子效应复合发光发光中心发展前景界面层

分类号 O471.1 [理学—半导体物理] O631.24 [理学—高分子化学]

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