0.5微米精细CMOS工艺

下载PDF

导出

摘要近年来,开发VLSI用CMOS工艺技术,显得极为重要。这主要是因为CMOS电路具有功耗低,噪声容限大和电路设计比较容易等优点。另一方面,从电路高速化的观点看,CMOS晶体管正在向微细化发展,0.5微米微细栅长试制工作也在积极进行。这是为了在充分发挥上述CMOS特殊性质的基础上,通过微细化来提高驱动能力、降低负载栅电容。其目的之一,是为获得与双极型和GaAs同样的高速度。

作者仁田山晃宽徐增禧

机构地区东芝公司综合所

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第2期68-72,共5页 Microelectronics

关键词 CMOS 微米精细工艺

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1李国金.微波集成电路的精细微调[J].雷达与对抗,1993(4):26-29.
2钟伟锐.通信电源的管理与精细维护[J].沿海企业与科技,2013(4):30-31. 被引量：1
3刘文贵,田日才,刘俊勇.一种实用的超短波跳频频率合成器的设计[J].计算机与网络,1999,0(1):22-23.
4影像新动力[J].新概念电脑,2003(8):15-15.
5LG8380[J].通信技术,2004(1):56-57.
6LG LB1700[J].数字通信,2006,33(19):28-28.
7朱晔.爱立信业务网络,带来最真实的用户体验[J].信息通信,2005(6):15-17.
8马明诚.精细挠性印制板[J].印制电路信息,2004(9):47-48.
9谢怡.兼具4K与3D的投影需求,重现更加精细的影像效果白雪SM100PFH-D(V)4K&3D纳米高清框架幕[J].家庭影院技术,2012(5):60-60.
10范岳.设计精细．外观亮丽 NESO FD770A显示器[J].电子测试,2002,15(6):21-21.

微电子学

1989年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

0.5微米精细CMOS工艺

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史