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半导体用特种气体的处理方法——干法处理装置
被引量:
2
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摘要
在硅半导体生产中,作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气;作为硅铝膜蚀刻用气,需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化硼、氯化氢)。作为光电管和高速管用而大有希望的Ⅲ-V族半导体的生产过程中,同样消耗这类气体。
作者
猪口尚
伊滕文夫
刘懋才
出处
《低温与特气》
CAS
1988年第1期22-26,共5页
Low Temperature and Specialty Gases
关键词
处理装置
处理方法
特种气体
Ⅲ-V族半导体
干法
半导体生产
三氯化硼
三氟化硼
生产过程
单晶硅
氮化膜
氧化膜
甲硅烷
氢化物
卤化物
氯化氢
光电管
用气
消耗
气相
铝膜
砷烷
分类号
TQ117 [化学工程—无机化工]
X703 [环境科学与工程—环境工程]
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低温与特气
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