摘要
本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向、反应气体、碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响。
An investigation of the homoepitaxial growth on the<100> and < 111 > diamond substrates using microwave PCVD method has been carried out. The results show the influences of the substrate orientation, reaction gases, carbon concentration on morphology and structure of the epitaxial layers,and give the growth conditions for diamond homoepitaxial growth.
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期124-128,共5页
Journal of Shanghai Jiaotong University
基金
国家高技术和国家自然科学基金
关键词
金刚石薄膜
同质外延
气相法
diamond thin film, homoepitaxy,microwave PCVD
