a—Si:H光衰效应和结构特性研究
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1王印月,许怀哲,陈光华.反应溅射a-Si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性[J].物理学报,1992,41(2):302-305.
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2苏玉成.掺P和掺B的a-Si:H的g因子的研究[J].中央民族大学学报(自然科学版),1995,4(2):122-125.
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3魏爱香,周心明,冯良桓,郑家贵,蔡伯埙,谢蕙.a-Si:H的光电导衰退与微结构的关系[J].四川大学学报(自然科学版),1989,26(4):497-500.
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4吴汝麟,何宇亮,沈宗雍.THE DOPING EFFECT OF BORON ON GLOW DISCHARGE a-Si:H FILMS[J].Chinese Science Bulletin,1984,29(9):1166-1169.
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5王春林,孟广耀,杨萍华,彭定坤.微波等离子体化学气相沉积的 a-Si∶H 性能研究[J].无机材料学报,1992,7(3):334-339.
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6Brunner R,Pincik E,Kobayashi H,Kucera M,Takahashi M.非均匀a-Si:H层的光致发光光谱研究[J].冶金分析,2012,32(1):43-47.
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7董会宁,杜开瑛,谢茂浓.非晶硅的二步快速退火固相晶化[J].四川大学学报(自然科学版),1995,32(1):95-97. 被引量:2
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8王印月,胡著华,陈光华.用高频电容—电压法研究GD-a-Si:H的隙态密度[J].兰州大学学报(自然科学版),1989,25(4):41-49.
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9程自亮,蒋向东,王继岷,刘韦颖,连雪艳.H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响[J].电子器件,2015,38(3):485-488. 被引量:3
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10姚建可,许宁生,邓少芝,陈军,佘峻聪,王彬.塑料基底a-Si∶H TFT制备技术[J].液晶与显示,2010,25(4):542-545. 被引量:1
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