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多晶硅敏感技术(连载六)

Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Six)

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摘要 6.4.2金属衬底的多晶硅压力传感器单晶硅弹性膜片在直接与被测介质接触时抗冲击性差、不利于测量有腐蚀性介质的压力,且大面积单晶硅弹性膜片的成本也大。因此在特定场合用金属薄板作弹性膜片更为有利。

作者王善慈

机构地区电子工业部第

出处《传感器技术》 CSCD 1994年第6期55-61,共7页 Journal of Transducer Technology

关键词多晶硅敏感技术硅

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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传感器技术

1994年第6期

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