InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合

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摘要在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间的表达式．结果表明，短时间ＬＰＥ生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ相类似，有着相同的初始快速生长阶段．

作者汪开源曹康敏唐洁影

机构地区东南大学电子工程系

出处《半导体杂志》 1994年第3期16-19,共4页

关键词液相数学半导体 INGAAS/INP LPE

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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