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半导体超晶格物理与器件（11）被引量：1

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摘要半导体超晶格物理与器件（１１）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第三章超晶格异质结的结构表征２０余年来，材料物理学家们已采用ＭＢＥ和ＭＯ－ＣＶＤ等现代超薄层外延工艺生长了各种超晶格和量子阱微结构，并对这些人工结构所具有的新鲜电子和物理性质...

作者彭英才

机构地区河北大学电子与信息工程系

出处《半导体杂志》 1994年第1期46-52,共7页

关键词半导体器件半导体超晶格异质结

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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同被引文献5

1彭英才.半导体超晶格与量子阱及其研究进展[J].自然杂志,1992,15(5):329-335. 被引量：1
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引证文献1

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二级引证文献4

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3彭英才.半导体超晶格物理与器件（9）[J].半导体杂志,1993,18(3):50-55.
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6彭英才.半导体超晶格物理与器件(19)[J].半导体杂志,1996,21(1):51-55. 被引量：1
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8彭英才.半导体超晶格物理与器件(20)[J].半导体杂志,1996,21(2):51-55.
9彭英才.半导体超晶格物理与器件 3[J].半导体杂志,1992,17(1):46-51.
10彭英才.半导体超晶物理与器件（18）[J].半导体杂志,1995,20(4):49-54.

半导体杂志

1994年第1期

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