二级引证文献4
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1田彦宝,吉元,王俊忠,张隐奇,关宝璐,郭霞,沈光地.GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析[J].功能材料,2008,39(3):515-518. 被引量：2
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2李思琳,罗诗裕.超晶格量子阱研究的回顾与展望[J].东莞理工学院学报,2008,15(3):11-15. 被引量：1
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3官众,张道礼.半导体量子点的发光性质研究[J].半导体技术,2008,33(10):895-898. 被引量：1
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4田亚芳,刘正春,张中明.超晶格量子阱中的量子力学效应[J].云南大学学报（自然科学版）,2007,29(S1):151-154. 被引量：5
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1彭英才.半导体超晶格物理与器件（8）[J].半导体杂志,1993,18(2):48-54.
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2彭英才.半导体超晶格物理与器件（11）[J].半导体杂志,1994,19(1):46-52. 被引量：1
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3彭英才.半导体超晶格物理与器件（7）：第二章 超昌格结构的制备[J].半导体杂志,1993,18(1):46-51.
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4彭英才.半导体超晶格物理与器件（9）[J].半导体杂志,1993,18(3):50-55.
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5彭英才.半导体超晶格物理与器件（2）[J].半导体杂志,1991,16(4):37-48.
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6彭英才.半导体超晶格物理与器件(19)[J].半导体杂志,1996,21(1):51-55. 被引量：1
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7彭英才.半导体超晶格物理与器件（16）[J].半导体杂志,1995,20(2):49-55.
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8彭英才.半导体超晶格物理与器件(20)[J].半导体杂志,1996,21(2):51-55.
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9彭英才.半导体超晶格物理与器件 3[J].半导体杂志,1992,17(1):46-51.
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10彭英才.半导体超晶物理与器件（18）[J].半导体杂志,1995,20(4):49-54.
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