摘要
我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．
Abstract Good quality(AlxGa1-x) InP(x=0, 0.25, 0.5, and 1) layers and GaIuP/AlInP multiple quantum well structures(MQWS) were grown by gas source molecular beam epitaxy(GSMBE) and characterized by photoluminescenc.(PL), double crystal X ray diffraction(XRD) and Hall measurement.
基金
国家高技术新材料领域资助
关键词
可见光激光器
分子束外延
气态源
Molecular beam epitaxy
Semiconducting gallium compounds
Semiconductor quantum wells
