摘要
使用Gunn器件作为X电子的探测器研究了直接能隙/间接能隙(Direct Gap/Indirect Gap,简作“D/I”)异质结构在电场作用下的谷间转移电子效应。把这种异质结构制作在Gunn器件的阴极上观察到二极管直流伏安特性和射频工作性能的显著变化。它的振荡频率显著降低,振荡效率和输出功率增大,频率稳定度提高,而且脉冲振荡功率显著增大。已在8mm波段获得320mW的振荡功率,最大效率8％。用异质谷间转移电子(Heterostructure Intervalley Transferred Electron,简作"HITE”)效应解释了器件性能的这些突变,从而在实验中首次证实了这一新效应。
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期1-8,共8页
Research & Progress of SSE
基金
半导体超晶格国家重点实验室
中国电子工业总公司和国家自然科学基金资助课题
关键词
电子效应
异质结
半导体
量子阱
Heterostructure Intervalley lransferred Electron Effect、Direct (Gap/Indirect Gap Heterostructure·High Efficiency High Power Quantum Welllunneling IntervalleyTransferred Electron Device
