摘要
分析了可控硅整流装置中换流过程瞬态电压的产生机理及其相应的保护方法,建立了换流过程中瞬态电压数学模型,并给出了针对可控硅整流装置换流过程产生的瞬态电压保护电路参数的设计方法及具体计算实例.
This paper Analyses the causes of transient over-voltage for thyristor-converter and schemes of protection, establish the model of Transient Over-voltage for Thyristor. It also provides the method of choosing the parameters of protective circuit to deal with commutation spike and gives an example in detail.
出处
《河北工业大学学报》
CAS
2004年第5期64-68,共5页
Journal of Hebei University of Technology
关键词
可控硅
瞬态电压
数学模型
保护电路
参数计算
thyristor
transient over-voltage
mathematic model
protection circuit
parameter count
