CdHgTe—硅混成红外焦平面列阵
出处
《红外》
CAS
1993年第1期1-5,共5页
Infrared
-
1Maker,IM,李玲.CdHgTe—硅混成红外焦平面列阵(下)[J].红外,1993(2):30-35.
-
2高.多光谱单片红外焦平面列阵探测器[J].红外,2004,25(1):47-47.
-
3Pelli.,B,高国龙.液相外延CdHgTe/CdZnTe/CdZnTe结构的生长和特性描述[J].红外,1989(12):17-22.
-
4Badd.,CJ,李玲.CdHgTe凝视列阵红外探测器作卫星探测的可能性(上)[J].红外,1993(3):17-21.
-
5刘黎明,杨培志,杨瑞宇,莫镜辉.混成式热释电非制冷红外焦平面探测器技术[J].光学与光电技术,2009,7(3):85-88.
-
6Badd.,CJ,李玲.CdHgTe凝视列阵红外控制器作卫星探测的可能性(下)[J].红外,1993(4):33-37.
-
7祝大同.积层法多层板的最新技术发展(上)[J].印制电路资讯,2004(2):43-48.
-
8祝大同.积层法多层板的最新技术发展(下)[J].印制电路资讯,2004(3):47-51.
-
9C.P.Arthurs,贡树行.具有时间延迟积分和元件筛选功能的长线性列阵器件[J].红外,1999(2):27-33.
-
10杨得全,范垂祯.半导体材料二次离子质谱定量分析中的基体效应[J].真空科学与技术,1997,17(4):239-242. 被引量:1
;