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光致负阻效应及其机理探讨

Photo-Negative Resistance Effect and Its Theoretical Exploration
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摘要 本文介绍了由间接耦合光电探测器产生的光致负阻现象、并以实验为依据,基于一些合理的简化和假设,提出了一种物理模型。由此建立的几个基本的物理方程及进一步的理论推导的结果表明:该物理模型可以较好地对耦合区电流的负阻特性进行定性地解释。 In this paper, a new phenomenon called photo-negative resistance observed during our studying on the indirect coupling photodetector, then we propose a new physical model based on some reasonable simplifies and suppositions in order to explain the negative resistance of the current flowing throung the coupling region. The theoretical results and the experimental data show the model's reasonableness.
机构地区 五邑大学数理系
出处 《五邑大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第3期25-32,共8页 Journal of Wuyi University(Natural Science Edition)
关键词 间接耦合光电探测器 光致负阻 非线性输运 Indirect Coupling Photodetector Photo-negative Resistance Inlinear Transport
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参考文献2

二级参考文献6

  • 1何民才,1991年
  • 2何民才,中国科学.A,1990年,4期,431页
  • 3何民才,Chin Phys,1989年,9卷,876页
  • 4何民才,半导体学报,1988年,9卷,540页
  • 5何民才,红外与毫米波学报,1988年,7卷,145页
  • 6何民才,黄启俊,陈炳若.一种能探测微光的硅光敏器件[J]半导体学报,1988(05).

共引文献25

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