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热退火对 InGaN薄膜性质的影响

Influence of Thermal Annealing on Properties of InGaN Films
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摘要 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.
作者 文博 江若琏 刘成祥 谢自力 周建军 韩平 张荣 郑有炓
机构地区 南京大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期92-96,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:60476030),国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311060)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目
关键词 INGAN 热退火 散射机制
分类号 TN304.2+6 [电子电信—物理电子学]
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Journal of Semiconductors
2006年 第z1期

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