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不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究 被引量：1
1
作者 刘昌龙 尹立军 +3 位作者 吕依颖 阮永丰 E.Ntsoenzok D.Alquier 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期714-719,共6页
40、160和1550keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌。结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺... 40、160和1550keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌。结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量。结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论。 展开更多
关键词 单晶Si He离子注入 高温退火 He空腔 透射电子显微镜
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1.55MeV^3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究
2
作者 刘昌龙 Ntsoenzok E 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第11期818-822,共5页
室温下使用1.55 MeV、5×1015×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸。结果显示,低注量3He离... 室温下使用1.55 MeV、5×1015×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸。结果显示,低注量3He离子注入在Si中产生的缺陷主要为一些小尺寸的位错或位错环;在中等照射剂量,退火导致了气泡和气泡团簇的形成并伴随着高密度的位错环从这些气泡团簇中发射出来;而对于较高的照射剂量,3He离子注入加上随后的高温退火则在离子射程附近产生了一个具有确定边界的空腔带。结合NRA结果对实验现象进行了分析。 展开更多
关键词 单晶Si MeV级^3He离子注入 气泡团簇 空腔 透射电镜
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Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究
3
作者 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第9期1013-1016,共4页
室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用透射电镜观测分析了 80 0℃高温退火引起的空腔的形... 室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用透射电镜观测分析了 80 0℃高温退火引起的空腔的形成形貌 .结果表明 ,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长 .就Si离子附加辐照而言 ,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷 ,因此 ,它会抑制空腔的生长 ,而高密度H等离子体处理则有助于空腔的生长 .定性地讨论了实验结果 . 展开更多
关键词 单晶硅 硅离子注入 氢等离子体处理 空腔 透射电镜 高能物理实验
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H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应
4
作者 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第5期524-529,共6页
室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800℃高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子... 室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800℃高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550 keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 H等离子体处理 单晶硅 氦离子注入 透射电子显微镜 半导体工艺
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