期刊文献+
共找到18篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
激光剥离对4H-SiC衬底应力及面型的影响研究
1
作者 胡浩林 李齐治 +5 位作者 佘文婧 邹兴 卢致涛 陈刚 王映德 万玉喜 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第3期378-386,共9页
在第三代半导体快速发展和8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC大尺寸、低翘曲衬底需求持续攀升的背景下,传统多线切割存在材料损耗大、残余应力及面型难以精细控制等问题,而现有激光剥离研究多集中于小尺寸或半绝缘4H-SiC,对导电型8英寸4°... 在第三代半导体快速发展和8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC大尺寸、低翘曲衬底需求持续攀升的背景下,传统多线切割存在材料损耗大、残余应力及面型难以精细控制等问题,而现有激光剥离研究多集中于小尺寸或半绝缘4H-SiC,对导电型8英寸4°离轴晶锭在工程条件下的“工艺参数-残余应力-晶圆面型”关联缺乏系统认识。本文以8英寸导电N型4°离轴4H-SiC晶锭为对象,采用1064 nm皮秒激光内改质结合超声剥离工艺,系统调节扫描速度(50~400 mm/s),并通过SEM/TEM/SAED、拉曼深度剖面、高分辨XRD-Stoney方程、晶格应力分析及全口径面型测试,构建从微观改质层到整片晶圆翘曲的多尺度评价链路。本文清晰地阐明了皮秒激光对Si C裂纹沿[1120]的形成机制及延伸机制,从微观及宏观角度揭示了激光扫描速度对8英寸SiC衬底剥离效果、应力情况及面型质量的影响。为8英寸4H-SiC晶圆的高质量激光剥离制备提供了理论支撑与工艺优化路径,也为基于激光改质层实现SiC衬底面型可控调控提供了可借鉴的研究思路。 展开更多
关键词 4H-SiC晶圆 皮秒激光剥离 等效残余应力 晶圆面型 翘曲度
在线阅读 下载PDF
融合倒置残差与膨胀重参数化的晶圆缺陷检测算法
2
作者 王泉 王梦楠 +2 位作者 孙家栋 陈德基 肖上 《计算机工程与应用》 北大核心 2025年第19期190-201,共12页
针对当前晶圆缺陷检测算法在检测精度、模型参数量和计算量之间难以兼顾的问题,提出一种基于YOLOv8的轻量化晶圆缺陷检测算法(YOLOv8-based lightweight defect detection on wafers,YOLOv8_LDW)。通过融合倒置残差机制和膨胀重参数化模... 针对当前晶圆缺陷检测算法在检测精度、模型参数量和计算量之间难以兼顾的问题,提出一种基于YOLOv8的轻量化晶圆缺陷检测算法(YOLOv8-based lightweight defect detection on wafers,YOLOv8_LDW)。通过融合倒置残差机制和膨胀重参数化模块,设计了C2f_IDR模块并引入主干网络中,增强了模型对复杂缺陷全局上下文信息与局部细节特征的联合建模能力,同时提升推理效率。提出高级筛选路径聚合网络(high-level screening path aggregation network,HSPAN),通过双向筛选与融合机制对颈部网络进行重构,实现了多尺度特征的高效聚合,并有效抑制了冗余特征的干扰。为了进一步提升模型对微小缺陷的关注度以及复杂形状缺陷的回归精度,采用Focaler-Shape IoU损失函数替换传统CIoU损失函数。实验结果表明,改进模型在真实晶圆缺陷数据集上的F1Score和mAP50分别达到97.2%和98.3%,较基线模型提升1.4%和0.8%,参数量和计算量分别降低了42.5%和22.2%,模型大小仅为3.69 MB。此外,改进模型在公共数据集Wafer Defect上进行验证,相较于原模型,R、F1 Score和mAP50分别提升了7.2%、1.8%和2.0%,展现了较强的泛化能力和鲁棒性,可有效适应不同缺陷类型的数据分布。由此表明,改进后的算法能够在保持高检测精度的同时,大幅降低模型参数量和计算成本,满足晶圆缺陷检测对高效性和轻量化的实际应用需求。 展开更多
关键词 晶圆缺陷检测 YOLOv8n 轻量化 Focaler-shape IoU 高级筛选路径聚合网络(HSPAN)
在线阅读 下载PDF
基于有限元分析的薄壁钢管压扁模具设计
3
作者 尚子民 尚家荣 《模具工业》 2025年第7期17-20,共4页
针对新能源汽车仪表管梁两端径向压扁产生的形状畸变,通过有限元方法分析了畸变产生的原因,总结了形状畸变与径向下压量的对应关系,设计了抽芯式钢管径向压扁模具,模具成形的零件符合图纸要求,为类似钢管成形提供了新思路。
关键词 钢管 形状畸变 芯板 有限元分析 压扁模具
在线阅读 下载PDF
国内大功率半导体激光器研究及应用现状 被引量:74
4
作者 马骁宇 王俊 刘素平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期189-194,共6页
近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主... 近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 外延片结构 光学膜 封装 光束整形与耦合
原文传递
用图像识别的方法检测集成电路的键合点 被引量:1
5
作者 卢朝阳 周幸妮 顾英 《自动化学报》 EI CSCD 北大核心 1999年第4期567-570,共4页
1引言(a)例1(b)例2图1键合区与键合点在大规模集成电路(VLSI)的制造工艺中,键合区及键合点的检验是保证可靠性的一个重要环节,因为每一个键合点的好坏,直接影响整体集成电路(IC)芯片的可靠性.图1是两例放大了... 1引言(a)例1(b)例2图1键合区与键合点在大规模集成电路(VLSI)的制造工艺中,键合区及键合点的检验是保证可靠性的一个重要环节,因为每一个键合点的好坏,直接影响整体集成电路(IC)芯片的可靠性.图1是两例放大了一百倍的IC键合区显微图像.图中中... 展开更多
关键词 键合点 集成电路 VLSI 制造工艺 图像识别
在线阅读 下载PDF
Ar压强对硅基Al膜应力和微结构的影响 被引量:2
6
作者 宋学萍 饶淑玲 +1 位作者 方伟 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期150-153,158,共5页
用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al... 用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀。结构分析表明制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7Pa的Al膜结晶度最好。随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大。 展开更多
关键词 Al膜 微结构 应力和 压强 直流磁控溅射法 硅基 AR X射线衍射法 平均晶粒尺寸 光学相移法 应力分布 面心立方 晶体结构 晶格常数 分析表 时间 膜厚度 应力差 结晶度 制备 氩气 减小 增大 多晶
在线阅读 下载PDF
SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
7
作者 许高斌 陈兴 +2 位作者 马渊明 卢翌 汪祖民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期674-677,共4页
基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测... 基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。测试系统分析出加速度传感器的灵敏度是1.170μV/g。研究表明该加速度传感器可实现对量程高达25×104g加速度的测量。 展开更多
关键词 高G值 压阻式加速度传感器 SOI 扇形敏感质量块 双U型压敏电阻
原文传递
半导体硅片酸腐蚀后形状实验研究 被引量:6
8
作者 宁永铎 周旗钢 +3 位作者 钟耕杭 张建 赵伟 汪奇 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1062-1067,共6页
以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响。通过实验数... 以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响。通过实验数据分析,建立硅片酸腐蚀剥离去除量的分布与相应各因素之间的经验模型,根据各实验条件的腐蚀去除量的分布,结合酸腐蚀的化学反应机理,分析不同工艺条件下硅片形状的成因。实验结果表明:富硝酸体系中,在同等酸液配比条件下,腐蚀剂相对于硅材料表面的流速会影响化学反应中的物质交换效率,化学腐蚀速率与腐蚀剂相对流动速率显著相关;硅片的转动速率、外界引入的气泡扰动都会影响酸液的流动特征,进而改变物质交换效率的空间分布,最终影响硅片腐蚀后的形状。研究表明,硅片酸腐蚀后的几何形状受漩涡效应和边缘效应的共同影响。用宏观去除量模型、漩涡效应和边缘效应的经验模型叠加构造酸腐蚀硅片的经验模型,验证结果显示模型误差较小,可以预报在转动、气泡二因素交互作用下,酸腐蚀后硅片的几何形状。 展开更多
关键词 半导体硅片 酸腐蚀 总厚度差 硅片形状
原文传递
工艺参数对磨削硅晶圆亚表面损伤裂纹的影响 被引量:3
9
作者 孙敬龙 秦飞 +4 位作者 陈沛 安彤 宇慧平 王仲康 唐亮 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期448-454,共7页
为研究粗磨硅晶圆亚表面微裂纹,采用截面显微观测法,实验研究了粗磨工艺下砂轮进给速率、砂轮转速和硅晶圆转速对晶圆亚表面裂纹的影响.结果表明:磨削后晶圆亚表面斜线裂纹和折线裂纹占70%,中位裂纹、分叉裂纹和横向裂纹占30%,裂纹形状... 为研究粗磨硅晶圆亚表面微裂纹,采用截面显微观测法,实验研究了粗磨工艺下砂轮进给速率、砂轮转速和硅晶圆转速对晶圆亚表面裂纹的影响.结果表明:磨削后晶圆亚表面斜线裂纹和折线裂纹占70%,中位裂纹、分叉裂纹和横向裂纹占30%,裂纹形状与工艺参数的关系不大.裂纹深度从晶圆圆心向外逐渐增大,〈110〉晶向裂纹深度稍大于〈100〉晶向.裂纹深度随砂轮进给速率增大单调增加,随砂轮转速增大单调减小.裂纹深度与晶圆转速之间的关系复杂,晶圆转速增大时,裂纹深度先是减小,然后增大.提出了磨削工艺参数的优化措施. 展开更多
关键词 硅晶圆 磨削参数 裂纹形状 裂纹深度 工艺优化
在线阅读 下载PDF
8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 被引量:10
10
作者 张志勤 袁肇耿 薛宏伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期531-535,560,共6页
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗... 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。 展开更多
关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布
原文传递
某型直升机尾桨叶专用超声探头参数的确定
11
作者 陈新波 丁振国 +1 位作者 孙金立 姜东宏 《科技信息》 2008年第33期25-26,共2页
为了检测某型直升机尾桨叶大梁的裂纹,需要设计专用横波探头。根据桨叶厚度以及裂纹的特点,认为横波探头设计的关键在于晶片的工作频率、晶片的入射角和晶片的尺寸的选取,由理论分析和实例说明了确定各个参数的方法,通过实际应用证明效... 为了检测某型直升机尾桨叶大梁的裂纹,需要设计专用横波探头。根据桨叶厚度以及裂纹的特点,认为横波探头设计的关键在于晶片的工作频率、晶片的入射角和晶片的尺寸的选取,由理论分析和实例说明了确定各个参数的方法,通过实际应用证明效果良好。 展开更多
关键词 尾桨叶大梁 横波探头 工作频率 入射角 晶片尺寸
在线阅读 下载PDF
采用仿射迭代最近点的晶圆分割方法 被引量:1
12
作者 杨静 尚夏 +1 位作者 荣海军 杜少毅 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期56-61,共6页
针对依赖硬件设施的晶圆分割方法存在生产成本高、工艺复杂且分割效果不稳定的问题,提出以仿射迭代最近点(ICP)算法为核心的基于图像形状配准思想的晶圆分割方法。该方法采用Canny算子提取图像边缘,建立晶圆模板图像与目标图像的特征点... 针对依赖硬件设施的晶圆分割方法存在生产成本高、工艺复杂且分割效果不稳定的问题,提出以仿射迭代最近点(ICP)算法为核心的基于图像形状配准思想的晶圆分割方法。该方法采用Canny算子提取图像边缘,建立晶圆模板图像与目标图像的特征点集;对目标图像的边缘图像进行基于Hough的直线检测,得到粗略的晶圆矩形边框信息;以矩形左上角的点坐标作为匹配搜索区域的初始值进行基于仿射ICP算法的精确配准,通过晶圆产品图像与模板图像的特征匹配,实现晶圆的快速、准确分割。理论分析及实验结果表明:该方法计算复杂度较低,单独样本分割时间约为0.9s,样本分割精度明显高于其他算法,满足自动化生产线的实时在线检测需求。 展开更多
关键词 晶圆分割 直线检测 形状配准 仿射迭代最近点
在线阅读 下载PDF
RAINBOW压电陶瓷与形状记忆合金的集成
13
作者 沈星 刘永刚 裘进浩 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期15-17,共3页
采用物理气相沉积法在RAINBOW压电陶瓷上沉积了形状记忆合金膜,分析了不同制备工艺对膜层的影响,优化了工艺参数。划痕试验结果、XRD图谱以及电镜照片表明,膜层质量较好,而且与RAINBOW压电陶瓷还原层能形成良好的结合界面,为今后形状记... 采用物理气相沉积法在RAINBOW压电陶瓷上沉积了形状记忆合金膜,分析了不同制备工艺对膜层的影响,优化了工艺参数。划痕试验结果、XRD图谱以及电镜照片表明,膜层质量较好,而且与RAINBOW压电陶瓷还原层能形成良好的结合界面,为今后形状记忆合金(SMA)与RAINBOW压电陶瓷的进一步集成设计提供了可靠的依据。 展开更多
关键词 RAINBOW压电陶瓷 物理气相沉积 形状记忆合金 集成
在线阅读 下载PDF
介电泳抛光方法及其电极形状的实验研究 被引量:1
14
作者 林益波 赵天晨 +1 位作者 邓乾发 袁巨龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期155-160,共6页
目的验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响。方法选取直径76.2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光(CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同... 目的验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响。方法选取直径76.2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光(CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同直径上的表面粗糙度以及硅片的质量,然后对测量的数据进行处理和分析。结果与传统CMP方法比较,使用介电泳抛光方法抛光的硅片,不同直径上的表面粗糙度相差小,粗糙度下降速度快,使用直径60 mm圆电极形状介电泳抛光时相差最小,粗糙度下降最快。介电泳抛光方法去除率最低能提高11.0%,最高能提高19.5%,最高时所用电极形状为内径70 mm、外径90 mm的圆环。结论介电泳抛光方法抛光均匀性、效率和去除率均优于传统CMP方法。 展开更多
关键词 介电泳抛光 电极形状 单晶硅片 均匀性 表面粗糙度 去除率
在线阅读 下载PDF
Surface shape control of the workpiece in a double-spindle triple-workstation wafer grinder 被引量:1
15
作者 朱祥龙 康仁科 +1 位作者 董志刚 冯光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期78-85,共8页
Double-spindle triple-workstation(DSTW) ultra precision grinders are mainly used in production lines for manufacturing and back thinning large diameter(≥300 mm) silicon wafers for integrated circuits.It is import... Double-spindle triple-workstation(DSTW) ultra precision grinders are mainly used in production lines for manufacturing and back thinning large diameter(≥300 mm) silicon wafers for integrated circuits.It is important, but insufficiently studied,to control the wafer shape ground on a DSTW grinder by adjusting the inclination angles of the spindles and work tables.In this paper,the requirements of the inclination angle adjustment of the grinding spindles and work tables in DSTW wafer grinders are analyzed.A reasonable configuration of the grinding spindles and work tables in DSTW wafer grinders are proposed.Based on the proposed configuration,an adjustment method of the inclination angle of grinding spindles and work tables for DSTW wafer grinders is put forward. The mathematical models of wafer shape with the adjustment amount of inclination angles for both fine and rough grinding spindles are derived.The proposed grinder configuration and adjustment method will provide helpful instruction for DSTW wafer grinder design. 展开更多
关键词 GRINDER silicon wafer surface shape control chuck dressing modeling
原文传递
Shape evolution of antimony oxychloride from sheaf-like to quasi-wafer structures
16
作者 ZHOU Jing ZHAO HeWei +1 位作者 LI LiDong GUO Lin 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2011年第35期3817-3822,共6页
Antimony oxychloride Sb8O11Cl2(H2O)6 products with various morphologies including sheaf-like,rhombic-plate,oval leaf-like and quasi-wafer have been successfully synthesized via a mild and facile solution route at room... Antimony oxychloride Sb8O11Cl2(H2O)6 products with various morphologies including sheaf-like,rhombic-plate,oval leaf-like and quasi-wafer have been successfully synthesized via a mild and facile solution route at room temperature.The morphologies and structures of the as-prepared samples were characterized by X-ray powder diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM) and transmission electron microscopy(TEM).A possible formation mechanism of these structures is proposed according to the experimental results and analysis. 展开更多
关键词 结构形状 氧氯化 晶圆 透射电子显微镜 扫描电子显微镜 演变 X射线衍射
在线阅读 下载PDF
全自动晶圆划片机S运动曲线规划与分析 被引量:1
17
作者 张伟 闫启亮 《电子工业专用设备》 2011年第10期11-14,共4页
针对全自动划片机运动控制系统的特点,对S运动曲线加减速算法进行了深入分析,推导出S曲线加减速的计算公式,并通过试验仿真进行验证,根据分析结果得出S曲线是一种适合全自动划片机高速高精度运动的加减速算法。
关键词 全自动 晶圆 划片机 S曲线
在线阅读 下载PDF
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究 被引量:8
18
作者 张喆 宋琦 +3 位作者 张昆鹏 薛美 侯煜 张紫辰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第20期84-91,共8页
硅是半导体领域使用最广泛的材料,近几年随着制程工艺的发展,传统的机械划片方法已经无法满足更高的加工质量要求。现有激光开槽与金刚石刀结合的划片工艺,多采用纳秒多光束的激光加工方式。介绍了能量呈平顶分布的飞秒激光开槽硅晶圆... 硅是半导体领域使用最广泛的材料,近几年随着制程工艺的发展,传统的机械划片方法已经无法满足更高的加工质量要求。现有激光开槽与金刚石刀结合的划片工艺,多采用纳秒多光束的激光加工方式。介绍了能量呈平顶分布的飞秒激光开槽硅晶圆技术的双温数值仿真模型与实验,使用波长为517 nm的飞秒激光,基于有限元模型分析了飞秒脉冲加热硅表面的能量沉积过程和热场的演化过程,研究了激光功率、光斑间隔和能量分布等激光加工参数对工艺效果的影响。最后通过实验,实现了硅晶圆表面槽宽可控、槽底均匀、槽侧壁陡直的开槽工艺。实验结果表明,平顶飞秒激光划槽工艺在未来硅晶圆划片及微结构制备中具有很大的工程应用潜力。 展开更多
关键词 激光技术 飞秒激光 双温模型 光束整形 激光烧蚀 晶圆划片
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部