期刊文献+
共找到22篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Sub-nm ruthenium cluster catalyst for decomposition as an efficient and robust and synthesis of ammonia: Break the "size shackles" 被引量:3
1
作者 Jinpeng Li Weiyang wang +10 位作者 Wenxing Chen Qinmei Gong Jun Luo Ruoqian Lin Huolin Xin Hui Zhang Dingsheng wang Qing Peng Wei Zhu Chen Chen Yadong Li 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期4774-4785,共12页
Downsizing to sub-nm is a general strategy to reduce the cost of catalysts. However, theoretical Wulff-constructed model suggests that sub-nm clusters show little activity for various reactions such as ammonia decompo... Downsizing to sub-nm is a general strategy to reduce the cost of catalysts. However, theoretical Wulff-constructed model suggests that sub-nm clusters show little activity for various reactions such as ammonia decomposition and ammonia synthesis because of the lack of active sites. As clusters may deviate from the ideal model construction under reaction conditions, a host-vip strategy to synthesize thermally stable 1.0 run monodispersed Ru dusters by the pyrolysis of MIL-101 hosts is reported here to verify the hypothesis. For ammonia decomposition, the activity of the Ru clusters is 25 times higher than that of commercial Ru/active carbon (AC) at full-conversion temperature, while for ammonia synthesis, the activity of the Ru dusters is 500 times as high as that of promoted Ru NPs counterpart. The catalyst also maintains its activities for 40 h without any increase in the size. This model can be used to develop a host-vip strategy for designing thermally stable sub-nm clusters to atomic-efficiently catalyze reactions. 展开更多
关键词 sub-nm Ru cluster synthesis design ammonia decomposition ammonia synthesis metal-organic frameworks
原文传递
团簇-晶核共组装亚纳米材料的研究进展
2
作者 叶庆华 赵亚丽 +4 位作者 蔡铭心 翟锦秀 曹行健 刘熙俊 何佩雷 《材料导报》 北大核心 2025年第12期14-23,共10页
亚纳米材料是指特征尺寸至少在一个维度上小于1 nm的材料。与传统纳米材料相比,亚纳米材料往往有特殊的性能,因而具有广阔的应用前景。清华大学的王训教授课题组实现了在良/不良溶剂体系中制备亚纳米材料,并提出了团簇-晶核共组装策略... 亚纳米材料是指特征尺寸至少在一个维度上小于1 nm的材料。与传统纳米材料相比,亚纳米材料往往有特殊的性能,因而具有广阔的应用前景。清华大学的王训教授课题组实现了在良/不良溶剂体系中制备亚纳米材料,并提出了团簇-晶核共组装策略来实现亚纳米尺度上材料组分的调控。目前,该策略已发展成为制备各种组分亚纳米材料的普适方法。亚纳米材料因超高的比表面积和接近100%的表面原子暴露率而具有快速的电子/离子传输特性,在储能、催化和光热转化等领域中获得了广泛的应用。本文介绍了团簇-晶核共组装策略的概念和亚纳米材料的形成机理,同时,综述了近年来利用团簇-晶核共组装策略制备的亚纳米材料的研究现状,就其合成方法、结构等进行系统的介绍,讨论了这些亚纳米材料在储能、催化、光热转化、有机凝胶等方面的应用,最后提出了亚纳米材料目前面临的挑战和未来的研究方向,旨在为亚纳米材料的设计和精确合成提供新的视角。 展开更多
关键词 亚纳米 团簇-晶核共组装策略 储能 类高分子性质 光热转化
在线阅读 下载PDF
亚10 nm超薄金属薄膜的光电特性及应用研究进展
3
作者 陈皓 郑梦洁 +6 位作者 朱旭鹏 张轼 马东旭 潘美妍 傅翼斐 陈艺勤 段辉高 《材料研究与应用》 2025年第2期219-238,共20页
亚10 nm超薄金属膜具有高透光性、低电阻、高机械柔性及低成本等优点,是一种理想的光电材料。相比于常规厚度的金属薄膜,亚10 nm超薄金属膜具有更优异的光电特性,在太阳能电池、平板显示、色彩装饰、可穿戴电子设备、智能窗户等领域有... 亚10 nm超薄金属膜具有高透光性、低电阻、高机械柔性及低成本等优点,是一种理想的光电材料。相比于常规厚度的金属薄膜,亚10 nm超薄金属膜具有更优异的光电特性,在太阳能电池、平板显示、色彩装饰、可穿戴电子设备、智能窗户等领域有广阔的应用前景。亚10 nm超薄金属膜的制备质量直接决定了光电特性。由于金属普遍具有较大的表面能,因此润湿性较差。在亚10 nm极端厚度下通过直接沉积的方式难以形成连续、长程有序且均匀的薄膜,而生长过程中产生的缺陷必然会导致出现电阻增大、光学性质不稳定等问题,从而影响光电器件的性能。如何制备高纯度、高质量的亚10 nm超薄金属膜及相关应用的研究,已成为光电器件领域的研究热点,面临着极大的挑战。首先,阐述了超薄金属膜的光电特性和力学特性,并结合薄膜生长机制,对近几年开发的超薄金属膜高质量制备方法(如引入种子层、掺杂共溅射、表面修饰、低温沉积、离子束抛光、聚合物辅助光化学沉积等)进行了总结和对比。然后,从实际应用需求角度出发,对亚10 nm超薄金属膜在透明电极、结构色滤光片、太阳能吸收器、Low-E涂层及等离子器件中的设计方法及应用形式进行了归纳,指出亚10 nm超薄金属薄膜研究所面临的挑战。最后,对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 亚10 nm 超薄金属 薄膜生长 光电器件 柔性透明电极 结构色 表面等离激元 太阳能吸收
在线阅读 下载PDF
极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究
4
作者 王宁章 鲍军波 +4 位作者 陈涛 冯汉华 黄新堂 袁润章 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第6期453-456,共4页
用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V... 用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明 ,在负温区 ,电流密度 J对温度 T有较强的依赖关系 ,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区 ,服从 J=K V2 关系 ,ε和 SCL C电流密度 J则与温度 展开更多
关键词 铁电薄膜 电流温度特性 半导体材料
在线阅读 下载PDF
亚50 nm台阶高度标准物质的可控制备及定值研究 被引量:3
5
作者 张雅馨 王琛英 +2 位作者 景蔚萱 施玉书 蒋庄德 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期86-93,共8页
纳米台阶高度标准物质可以传递准确、可溯源的纳米高度量值。针对我国缺乏可控的高质量亚50 nm台阶高度标准物质制备技术的问题,提出了基于原子层沉积结合湿法刻蚀的纳米台阶高度标准物质研制方法,通过工艺过程优化实现了台阶高度亚纳... 纳米台阶高度标准物质可以传递准确、可溯源的纳米高度量值。针对我国缺乏可控的高质量亚50 nm台阶高度标准物质制备技术的问题,提出了基于原子层沉积结合湿法刻蚀的纳米台阶高度标准物质研制方法,通过工艺过程优化实现了台阶高度亚纳米量级精确可控,制备出了最小公称高度仅为5 nm的亚50 nm台阶高度标准物质系列。其定值结果可溯源到米定义波长基准,扩展不确定度不超过2.0 nm,均匀性和稳定性较好,不同测试仪器一致性水平较高。研究结果表明,所研制的纳米台阶高度标准物质可以用于亚50 nm高度量值传递以及多种测量仪器之间量值的比对测量,其产业化批量生产的前景也将为半导体产业提供完善的计量保障。 展开更多
关键词 台阶高度标准物质 亚50 nm 原子层沉积技术(ALD) 计量学
原文传递
微弱光谱信号低噪声信息获取和处理技术研究 被引量:2
6
作者 张昕 丁雷 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第4期575-580,共6页
对温室气体进行全球范围的高精度监测,获取高可靠有效数据,是实现对温室气体排放进行监控的基础。为了实现温室气体的亚纳米高光谱分辨率光谱探测,需要保证高光谱温室气体监测仪探测系统具有高信噪比。围绕仪器信号链路的关键模块——In... 对温室气体进行全球范围的高精度监测,获取高可靠有效数据,是实现对温室气体排放进行监控的基础。为了实现温室气体的亚纳米高光谱分辨率光谱探测,需要保证高光谱温室气体监测仪探测系统具有高信噪比。围绕仪器信号链路的关键模块——InGaAs面阵探测器的信息获取与处理模块,开展了微弱光谱信号低噪声信息获取和处理技术的研究。设计了微弱光谱信号低噪声信息获取和处理系统,并深入研究了影响光谱探测系统噪声的重要因素。通过构建谱段信噪比模型,并采用小带宽运放电路和AD多次采样方法降低电路噪声,系统在1.61μm谱段0.07nm光谱分辨率下,典型能量值为1.91W/(μm·m^2·sr),信噪比(SNR)达340。实验结果表明,系统噪声均方差(RMS)值为8.1LSB,优于10LSB(4.9mV噪声),实现了高光谱温室气体监测仪对亚纳米微弱光谱信号探测的高信噪比需求。该低噪声信号获取与处理技术为InGaAs面阵探测器在温室气体监测应用领域的微弱光谱信号探测打下了基础。 展开更多
关键词 微弱光谱信号 亚纳米高光谱分辨率 信息获取电路 低噪声 面阵探测器
原文传递
亚65nm及以下节点的光刻技术 被引量:1
7
作者 徐晓东 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期921-925,共5页
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光... 由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。 展开更多
关键词 亚65nm 浸入式光刻 极紫外线 电子束直写 分辨率增强技术
在线阅读 下载PDF
单层SnS场效应晶体管的第一性原理研究 被引量:2
8
作者 郭颖 潘峰 +2 位作者 姚彬彬 孟豪 吕劲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期266-276,共11页
基于硅基材料的逻辑器件由于其短沟道效应,使摩尔定律失效,二维半导体材料被认为是继续缩小晶体管尺寸以生产更多摩尔电子器件的潜在沟道材料.最近在实验上突破了技术瓶颈的限制,实现了二维场效应晶体管突破亚1 nm沟道极限,并且表现出... 基于硅基材料的逻辑器件由于其短沟道效应,使摩尔定律失效,二维半导体材料被认为是继续缩小晶体管尺寸以生产更多摩尔电子器件的潜在沟道材料.最近在实验上突破了技术瓶颈的限制,实现了二维场效应晶体管突破亚1 nm沟道极限,并且表现出优异的器件性能.这极大地鼓舞了在理论上进一步探索二维器件的性能.二维SnS具有较高的载流子迁移率和各向异性的电子性能,且材料性能环境稳定.本文应用第一性原理研究了亚5 nm SnS场效应晶体管的量子输运特性,鉴于SnS的各向异性,本文将器件沿单层SnS的armchair和zigzag两个方向进行构造,发现p型zigzag方向的器件性能优于其他类型(包括n型、p型的armchair方向和n型的zigzag方向).p型zigzag方向器件的开态电流在栅长缩短到1 nm也能满足国际半导体技术路线图的高性能(HP)器件要求,其值高达1934μA/μm.这在目前报道的1 nm栅长上的器件材料性能方面处于领先. 展开更多
关键词 量子输运模拟 单层SnS 亚5nm场效应管 开态电流
在线阅读 下载PDF
考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型
9
作者 张大伟 章浩 +1 位作者 余志平 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期12-15,88,共5页
在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一... 在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。 展开更多
关键词 二维量子力学效应 WKB理论 全解析电荷模型 亚50纳米 金属氧化物半导体场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
宽束离子束刻蚀快速加工金属纳米间隙结构 被引量:8
10
作者 曾沛 舒志文 +2 位作者 陈艺勤 段辉高 郑梦洁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期109-118,共10页
提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转... 提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转移至杠铃形金属纳米结构,最后使用宽束离子束刻蚀进行修剪。实验表明,精确控制刻蚀时间可以使杠铃形结构的两个纳米天线间的间隙距离达到10 nm以下,通过结合基于HSQ负性抗蚀剂的图案化工艺,可在HSQ纳米模板上制得悬空金属纳米间隙结构。利用表面结构形貌表征获得刻蚀过程中纳米结构的形态演变规律,并通过系统的实验和模拟验证了悬空金属间隙结构用于表面增强拉曼散射的优势。该方案为多个极小金属纳米间隙结构的一次成型提供了新的思路,在大面积拉曼传感衬底的低成本高效制备方面具有可观的应用前景。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 电子束曝光 金属纳米间隙 亚10 nm 拉曼检测
在线阅读 下载PDF
牛血清蛋白-Au配合物及其复合物制备及表征
11
作者 王圣琼 孙畅 +4 位作者 陶春先 韩朝霞 洪瑞金 林辉 张大伟 《光学仪器》 2018年第1期13-18,共6页
以牛血清蛋白(bovine serum albumin,BSA)、氯金酸(HAuCl4)、NaOH等为原料,采用一锅合成法制备了牛血清蛋白-Au配合物(BSA-Au),观察到了样品的宽带红光荧光发射。通过库仑力作用将BSA-Au与表面带有正电荷的金纳米颗粒进行复合,对纳米复... 以牛血清蛋白(bovine serum albumin,BSA)、氯金酸(HAuCl4)、NaOH等为原料,采用一锅合成法制备了牛血清蛋白-Au配合物(BSA-Au),观察到了样品的宽带红光荧光发射。通过库仑力作用将BSA-Au与表面带有正电荷的金纳米颗粒进行复合,对纳米复合物的吸收光谱及荧光光谱特性进行了研究。实验结果表明,在本实验条件下,金纳米颗粒虽然增强了复合物样品在可见光区域的光吸收,但对BSA-Au红光发光有猝灭作用。 展开更多
关键词 牛血清蛋白 亚纳米尺度金簇 荧光光谱
在线阅读 下载PDF
面向亚5nm图案化含硅嵌段共聚物的合成与自组装 被引量:2
12
作者 陶永鑫 陈蕾蕾 +3 位作者 刘一寰 胡欣 朱宁 郭凯 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1445-1458,共14页
嵌段共聚物的合成及其应用是高分子科学领域的研究热点.近年来,国内外学者设计了一系列新型含硅嵌段共聚物,具有较高的Flory-Huggins相互作用参数,在自组装制备亚5 nm特征图案方面取得了重大突破,有望应用于下一代半导体制造.本文总结... 嵌段共聚物的合成及其应用是高分子科学领域的研究热点.近年来,国内外学者设计了一系列新型含硅嵌段共聚物,具有较高的Flory-Huggins相互作用参数,在自组装制备亚5 nm特征图案方面取得了重大突破,有望应用于下一代半导体制造.本文总结了聚二甲基硅氧烷基、聚含硅苯乙烯基和聚倍半硅氧烷基3种类型含硅嵌段共聚物的合成,讨论了在本体和薄膜自组装纳米图案化方面的研究进展,对相关领域存在的挑战与机遇进行了展望. 展开更多
关键词 含硅嵌段共聚物 自组装 纳米光刻 亚5nm FLORY-HUGGINS 相互作用参数
原文传递
二维量子力学效应对阈值电压的影响
13
作者 张婷 代月花 高珊 《电脑知识与技术(过刊)》 2007年第20期494-495,共2页
在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量... 在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意. 展开更多
关键词 二维量子力学效应 WKB理论 全解析模型 亚50nmMOSFET
在线阅读 下载PDF
基于SNMP协议的CSG-T3000网管软件的服务端子系统设计
14
作者 杨震斌 许强 方成 《重庆文理学院学报(社会科学版)》 2014年第5期125-127,133,共4页
基于网络管理的实际需求及通信产品的多样性,在明确的设计策略指导下设计了科大智能CSG-T3000网管软件的系统架构,其中针对服务端子系统进行详细的设计说明,按照此架构设计研发的网管系统经实际应用检验,完全达到基于应用的设计需求.
关键词 SNMP 网管软件 服务端子系统 数据库
在线阅读 下载PDF
一种新型软X射线气溶胶荷电器的开发与评测
15
作者 王东滨 薛墨 +1 位作者 陈小彤 蒋靖坤 《大气与环境光学学报》 CAS CSCD 2020年第6期429-437,共9页
现有荷电器对1~3 nm气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软X射线气溶胶双极荷电器,通过结构设计的改进极大地提高了3 nm以下气溶胶的通过效率,同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍与现有荷电器相近。实验室评... 现有荷电器对1~3 nm气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软X射线气溶胶双极荷电器,通过结构设计的改进极大地提高了3 nm以下气溶胶的通过效率,同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍与现有荷电器相近。实验室评测结果表明:在1 L·min-1流量下,新型荷电器对3 nm以下不同粒径气溶胶的通过效率与TSI 3088软X射线荷电器相比可提高175%~300%;在2.5 L·min-1流量下,可提高115%~173%。同时,新型荷电器对10~40 nm及3 nm以下气溶胶的本征荷电效率与目前广泛使用的Fuchs稳态理论近似公式计算得出的荷电效率及其他类似荷电器的实测荷电效率基本吻合。相对于现有的商业荷电器,该新型荷电器对3 nm以下气溶胶有着更高的表观荷电效率,具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 气溶胶荷电器 软X射线 3 nm以下气溶胶 通过效率 荷电效率
在线阅读 下载PDF
1550nm数字电视长距离传输网的设计和实施
16
作者 殷军 《中国有线电视》 2007年第1期35-38,共4页
在丽水市建立有线数字电视服务平台后,需要将有线数字电视传输到丽水市各县(市)、乡镇乃至农户家里,实现有线数字电视的全市覆盖。从丽水市的实际出发,提出利用SDH传输网和1550nm射频副载波调制干线光传输相结合的方法覆盖全市8个... 在丽水市建立有线数字电视服务平台后,需要将有线数字电视传输到丽水市各县(市)、乡镇乃至农户家里,实现有线数字电视的全市覆盖。从丽水市的实际出发,提出利用SDH传输网和1550nm射频副载波调制干线光传输相结合的方法覆盖全市8个县(市)的具体方案。 展开更多
关键词 数字电视 SDH传输网 1550 nm射频副载波调制干线光传输 掺铒光纤放大器
在线阅读 下载PDF
后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗弥漫性糖尿病性黄斑水肿临床观察
17
作者 项岳晖 高潮 +1 位作者 张范 赵丽 《临床医药实践》 2011年第6期417-420,共4页
目的:评价后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗糖尿病性黄斑水肿(DME)的临床疗效。方法:对24例39眼伴有DME的糖尿病视网膜病变(DR)的患者给予后Tenon′s囊下注射曲安奈德30 mg 1次,2周后,采用532激光进行黄斑格栅光凝以及... 目的:评价后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗糖尿病性黄斑水肿(DME)的临床疗效。方法:对24例39眼伴有DME的糖尿病视网膜病变(DR)的患者给予后Tenon′s囊下注射曲安奈德30 mg 1次,2周后,采用532激光进行黄斑格栅光凝以及全视网膜光凝,再间隔2周后分析患者视力、眼底荧光造影、眼压以及并发症情况。结果:随访3~18个月,39眼中22眼(56.4%)视力稳定;13眼视力提高(33.3%),4眼视力下降(10.2%);荧光血管造影(FFA)眼底荧光造影检查,39眼中23眼黄斑水肿消退(59.0%),13眼部分消退(33.3%),另外有3眼无变化或者加重(7.7%)。39眼中除有2眼出现眼压升高症状,4眼出现晶状体混浊轻度加重外,无其他并发症出现。结论:后Tenon′s囊下注射曲安奈德联合532激光治疗DME是行之有效的治疗方法,有助于黄斑水肿的消退以及视力的提高,并且有并发症少等特点。 展开更多
关键词 后Tenon′s囊下注射 曲安奈德 弥漫性糖尿病性黄斑水肿 532激光光凝 临床观察
暂未订购
亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型 被引量:1
18
作者 王冠宇 张鹤鸣 +2 位作者 王晓艳 吴铁峰 王斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期573-581,共9页
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果... 本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考. 展开更多
关键词 亚lOOnm 应变Si/SiGe NMOSFET 二维表面势 阈值电压
原文传递
Generating a sub-nanometer-confined optical field in a nanoslit waveguiding mode 被引量:4
19
作者 Liu Yang Zhanke Zhou +6 位作者 Hao Wu Hongliang Dang Yuxin Yang Jiaxin Gao Xin Guo Pan Wang Limin Tong 《Advanced Photonics》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期33-41,共9页
We propose to generate a sub-nanometer-confined optical field in a nanoslit waveguiding mode in a coupled nanowire pair(CNP).We show that,when a conventional waveguide mode with a proper polarization is evanescently c... We propose to generate a sub-nanometer-confined optical field in a nanoslit waveguiding mode in a coupled nanowire pair(CNP).We show that,when a conventional waveguide mode with a proper polarization is evanescently coupled into a properly designed CNP with a central nanoslit,it can be efficiently channeled into a high-purity nanoslit mode within a waveguiding length<10μm.The CNP can be either freestanding or on-chip by using a tapered fiber or planar waveguide for input-coupling,with a coupling efficiency up to 95%.Within the slit region,the output diffraction-limited nanoslit mode offers an extremely confined optical field(∼0.3 nm×3.3 nm)with a peak-to-background ratio higher than 25 dB and can be operated within a 200-nm bandwidth.The group velocity dispersion of the nanoslit mode for ultrafast pulsed operation is also briefly investigated.Compared with the previous lasing configuration,the waveguiding scheme demonstrated here is not only simple and straightforward in structural design but is also much flexible and versatile in operation.Therefore,the waveguiding scheme we show here may offer an efficient and flexible platform for exploring light–matter interactions beyond the nanometer scale,and developing optical technologies ranging from superresolution nanoscopy and atom/molecule manipulation to ultra-sensitivity detection. 展开更多
关键词 sub-nm confined optical field nanoslit evanescent coupling waveguide mode
原文传递
亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型 被引量:1
20
作者 孟坚 柯导明 韩名君 《中国科学:信息科学》 CSCD 2013年第11期1496-1510,共15页
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关... 本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合. 展开更多
关键词 亚90 nm沟道MOSFET 二维电势分布 耗尽层厚度 阈值电压 半解析模型
原文传递
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部