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High energy soliton pulse generation by a magnetron-sputtering-deposition-grown MoTe_2 saturable absorber 被引量:16
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作者 JINTAO WANG ZIKE JIANG +6 位作者 HAO CHEN JIARONG LI JINDE YIN JINZHANG WANG TINGCHAO HE PEIGUANG YAN SHUANGCHEN RUAN 《Photonics Research》 SCIE EI 2018年第6期535-541,共7页
The pulse energy in the ultrafast soliton fiber laser oscillators is usually limited by the well-known wave-breaking phenomenon owing to the absence era desirable real saturable absorber (SA) with high power toleran... The pulse energy in the ultrafast soliton fiber laser oscillators is usually limited by the well-known wave-breaking phenomenon owing to the absence era desirable real saturable absorber (SA) with high power tolerance and large modulation depth. Here, we report a type of microfiber-based MoTe2 SA fabricated by the magnetron-sputtering deposition (MSD) method. High-energy wave-breaking free soliton pulses were generated with pulse duration/pulse energy/average output power of 229 fs/2.14 nJ/57 mW in the 1.5 μm regime and 1.3 ps/13.8 nJ/ 212 mW in the 2 μm regime, respectively. To our knowledge, the generated soliton pulses at 1.5μm had the shortest pulse duration and the highest output power among the reported erbium-doped fiber lasers mode locked by transition metal dichalcogenides. Moreover, this was the first demonstration of a MoTe2-based SA in fiber lasers in the 2 ltm regime, and the pulse energy/output power are the highest in the reported thulium-doped fiber lasers mode locked by two-dlmensional materials. Our results suggest that a microfiber-based MoTe2 SA could be used as an excellent photonic device for ultrafast pulse generation, and the MSD technique opens a promising route to produce a high-performance SA with high power tolerance and large modulation depth, which are beneficial for high-energy wave-breaking free pulse generation. 展开更多
关键词 LASERS fiber Mode-locked lasers Ultrafast lasers Nonlinear opticalmaterials
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质能异步化薄膜沉积系统的膜厚均匀性分析与修正挡板设计
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作者 吕亮 王宇翔 +1 位作者 夏志林 于思源 《材料导报》 北大核心 2025年第23期175-180,共6页
为满足空间光学系统中对大尺寸光学薄膜厚度均匀性的高要求,对自主设计的质能异步化磁控溅射薄膜沉积系统进行了膜厚均匀性建模与分析。该系统通过将薄膜沉积过程离散化,并引入变角度辅助离子束轰击,有效抑制节瘤缺陷,从而提升薄膜的激... 为满足空间光学系统中对大尺寸光学薄膜厚度均匀性的高要求,对自主设计的质能异步化磁控溅射薄膜沉积系统进行了膜厚均匀性建模与分析。该系统通过将薄膜沉积过程离散化,并引入变角度辅助离子束轰击,有效抑制节瘤缺陷,从而提升薄膜的激光损伤阈值。在此基础上,构建了适用于该装置的膜厚分布计算模型,分析了靶材宽度、高度、靶材与样品架轴心的距离、样品架半径等结构参数对膜厚均匀性的影响规律。计算结果表明:靶材宽度对膜厚均匀性的影响较小;靶材高度越大,垂直方向膜厚分布越均匀;当靶材与样品架的距离小于样品架半径的1.5倍时,膜厚均匀性随距离增加而变差;当该距离超过1.5倍后,均匀性反而有所改善。此外,样品架半径的变化对膜厚分布的影响不显著。在上述结构参数的优化效果不够的情况下,设计了膜厚修正挡板,利用仿真得到的原始膜厚分布信息对靶材的有效工作区域进行调控。修正结果显示,样品膜厚均匀性显著改善,初始的差异系数由大于0.35降低至小于0.005,对应100 nm膜层厚度时的厚度差仅为0.5 nm,显著提升了膜厚控制精度。研究结果可为复杂沉积系统的结构优化提供理论指导,也为高均匀性光学薄膜元件的批量制备提供技术支撑。 展开更多
关键词 质能异步沉积 薄膜厚度均匀性 磁控溅射 光学薄膜 结构参数优化
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ITO沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响
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作者 侯焕然 金扬利 +3 位作者 石晓飞 张运生 王衍行 祖成奎 《表面技术》 北大核心 2025年第4期233-241,261,共10页
目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄... 目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率及表面方阻进行表征和测试,分析ITO沉积温度对ITO/Au光电性能的影响机理。为了进一步理解超薄Au膜生长连续性改善的原因,通过几何平均法和算术平均法分别计算了ITO薄膜的表面自由能,分析了ITO薄膜表面自由能的改变对生长形貌的影响规律。结果在超薄Au膜镀制工艺相同的前提下,随着衬底层ITO薄膜沉积温度升高,ITO/Au薄膜的可见光平均透过率提升,表面方阻值降低。这是因为当沉积温度高于200℃时,ITO薄膜发生多晶化转变,多晶态的ITO相较于非结晶态具有更高的表面自由能,更有利于超薄Au膜的铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。当ITO沉积温度提升至300℃时,ITO薄膜的表面自由能几何平均法计算结果为45.2 mJ/m^(2),算术平均法计算结果为48.1 mJ/m^(2),在其表面沉积超薄Au膜后,制备了可见光平均透过率为47.5%、表面方阻为5.65Ω/sq,高光电性能兼容的ITO/Au薄膜。结论提高衬底层ITO薄膜的沉积温度,ITO薄膜发生多晶化转变,表面自由能提升,可有效促进超薄Au膜在其表面铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 沉积温度 氧化铟锡 超薄金膜 透明导电薄膜 磁控溅射 光电性能 表面自由能
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在过冷流动沸腾期间硫酸钙污垢形成过程研究 被引量:7
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作者 任晓光 李翠清 +2 位作者 刘长厚 赵起 Hans Mller Steinhagen 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期20-24,共5页
在过冷流动沸腾条件下 ,对硫酸钙的沉积过程进行了研究 ,考查了不同流速和不同加热器表面条件下硫酸钙的结垢状况。研究表明 ,表面能对污垢沉积有显著影响 ,采用现代表面处理技术 ,对金属表面进行磁控溅射 ,可以降低金属表面能 ,抑制污... 在过冷流动沸腾条件下 ,对硫酸钙的沉积过程进行了研究 ,考查了不同流速和不同加热器表面条件下硫酸钙的结垢状况。研究表明 ,表面能对污垢沉积有显著影响 ,采用现代表面处理技术 ,对金属表面进行磁控溅射 ,可以降低金属表面能 ,抑制污垢在加热器表面上的沉积。同时 ,操作的工艺条件对硫酸钙结晶垢的形成也有一定影响 ,在一定流速范围内 ,提高流速 ,可减少污垢的形成 。 展开更多
关键词 换热器 过冷流动沸腾 硫酸钙 污垢 形成过程 研究 表面能 磁控溅射
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基于Sigmund理论的溅射产额计算及分析 被引量:12
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作者 陈明 王君 +1 位作者 陈长琦 刘珍 《真空》 CAS 北大核心 2007年第2期44-47,共4页
溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行简单介绍,并对基于Sigmund理论的各种经验公式进行分析。在此基础上,对不同条件下的溅射产额进行了计算,... 溅射产额是表征溅射效应的重要参数。Sigmund的线性级联碰撞理论在溅射产额计算中获得了广泛的应用和发展。本文对Sigmund理论进行简单介绍,并对基于Sigmund理论的各种经验公式进行分析。在此基础上,对不同条件下的溅射产额进行了计算,通过计算结果,对各种公式的使用范围进行了讨论。 展开更多
关键词 Sigmund理论 溅射产额 入射离子能量
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反应溅射中的溅射产额研究 被引量:4
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作者 王敬义 何笑明 +1 位作者 王宇 陶甫廷 《微细加工技术》 2002年第2期33-37,57,共6页
分析了溅射产额的影响因素 ,并建立了产额模型。该模型能反映各种宏观工艺参数 ,便于工程应用。对钛靶的计算结果表明与实验结果相符。
关键词 反应溅射 溅射产额 离子能量
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用新局域模型计算高Z靶的溅射产额 被引量:1
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作者 李之杰 王泽辉 +1 位作者 川村孝一 山村泰道 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期57-60,共4页
用ACAT模拟程序计算了不同离子碰撞在单原子材料上的溅射产额。计算中采用山村等人提出的包括壳效应的新电子能量损失局域模型 ,原子间作用势使用Moli啨re势?扑愕玫降慕峁胧笛槭莺蜕酱宓鹊木楣浇斜冉?。
关键词 蒙特卡罗模拟 溅射产额 电子能量损失局域模型 原子间作用势 高工靶 离子溅射 计算 聚变堆材料
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载能Ni原子斜入射Pt(111)表面的分子动力学模拟 被引量:1
8
作者 颜超 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期767-772,共6页
采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,利用分子动力学模拟,详细研究不同角度入射的载能Ni原子在Pt(111)基体表面的沉积过程.结果表明,随着入射角度θ从0°增加到80°,溅射产额、表面吸附原子产额、空位产额的变化情况均可按入... 采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,利用分子动力学模拟,详细研究不同角度入射的载能Ni原子在Pt(111)基体表面的沉积过程.结果表明,随着入射角度θ从0°增加到80°,溅射产额、表面吸附原子产额、空位产额的变化情况均可按入射角度近似地分为θ≤20°,20°<θ<60°和θ≥60°三个区域.当θ≤20°时,载能沉积对基体表面的影响与垂直入射时的情况类似,表面吸附原子的分布较为集中,入射原子容易达到基体表面第二层及以下,对基体内部晶格产生一定的影响;在20°<θ<60°的范围内,入射原子的注入深度有所下降,对基体内部晶格的影响减小,表面吸附原子的分布较为均匀,有利于薄膜的均匀成核与层状生长;当θ≥60°时,所有入射原子均直接被基体表面反射,表面吸附原子产额、溅射产额、表面空位产额均接近0,载能沉积作用没有体现. 展开更多
关键词 载能沉积 分子动力学模拟 吸附原子 溅射产额 空位产额
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Ar^+入射Cu靶溅射产额的计算与分析 被引量:2
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作者 张德根 《蚌埠学院学报》 2015年第3期39-41,共3页
利用SRIM软件模拟Ar+以不同能量和角度溅射铜靶,根据计算结果得出溅射产额随入射离子能量和角度的变化规律:溅射产额在低能区(0.1-10 ke V)随入射离子能量的增加而增大,在高能区(10-100 ke V)随入射离子能量的增加变化不大且逐渐减小;... 利用SRIM软件模拟Ar+以不同能量和角度溅射铜靶,根据计算结果得出溅射产额随入射离子能量和角度的变化规律:溅射产额在低能区(0.1-10 ke V)随入射离子能量的增加而增大,在高能区(10-100 ke V)随入射离子能量的增加变化不大且逐渐减小;溅射产额随着离子入射角的增加逐渐增大,且在60°-80°之间有一极大值,而当入射角再变大时溅射产额急剧下降;入射角在0°-60°范围内,相对溅射产额与入射角余弦值近似成反比。溅射产额的变化规律可利用级联碰撞理论做出合理解释。 展开更多
关键词 溅射产额 能量 角度 SRIM软件 级联碰撞
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用于光学涂层的离子辅助反应淀积工艺 被引量:1
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作者 钟迪生 《光电子技术》 CAS 1996年第2期143-150,共8页
主要介绍几种离子化制备薄膜的方法,其目的是评述用于制备低损耗光学涂层的低能反应工艺和等离子体工艺的优劣。
关键词 离子辅助淀积 离子速淀积 离子能量 光学涂层
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能量和动量淀积深度分布的输运理论研究(英文)
11
作者 张竹林 张莱 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期778-783,共6页
作者对于离子束轰击无限大非晶或多晶靶 ,基于材料的平移不变性 (TIM ) ,证明了能量和动量淀积深度分布函数的勒让德多项式展开系数必定为无限可微函数 ,并假定这些分布函数存在 作者揭示了TIM与线性输运理论 (LTE)之间的本质区别 :当... 作者对于离子束轰击无限大非晶或多晶靶 ,基于材料的平移不变性 (TIM ) ,证明了能量和动量淀积深度分布函数的勒让德多项式展开系数必定为无限可微函数 ,并假定这些分布函数存在 作者揭示了TIM与线性输运理论 (LTE)之间的本质区别 :当总散射截面为无限大时 ,TIM仍然正确 ,但LTE就不再正确了 对于m =0 .5的幂散射截面 ,运用Pad啨逼近 ,由作者所构造的能量和动量淀积深度分布函数以及它们的勒让德多项式展开系数的深度分布函数 ,并没有发现所谓“奇点”和“不连续” 在某些情况下 。 展开更多
关键词 溅射 能量淀积 动量淀积
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Sigmund热尖峰溅射模型的研究
12
作者 万亚 宫宝安 +1 位作者 李岱青 叶维祎 《烟台师范学院学报(自然科学版)》 1993年第4期40-43,共4页
对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb^+,Bi^+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig... 对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb^+,Bi^+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容. 展开更多
关键词 溅射 能量淀积 热尖峰 Sigmund
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低能量粒子磁控溅射沉积薄膜的蒙特卡罗模拟
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作者 张德新 邹卫东 《江汉石油学院学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期112-114,共3页
提出了一个磁控溅射的低能量粒子 (可以是离子或原子 )加温沉积模型 ,特别考虑了溅射损伤和有一定能量的入射粒子对基底的加温作用 ,并和真空沉积在相同外界条件下作了比较。利用蒙特卡罗方法研究了低能量粒子 (<10 0eV)对金属原子... 提出了一个磁控溅射的低能量粒子 (可以是离子或原子 )加温沉积模型 ,特别考虑了溅射损伤和有一定能量的入射粒子对基底的加温作用 ,并和真空沉积在相同外界条件下作了比较。利用蒙特卡罗方法研究了低能量粒子 (<10 0eV)对金属原子沉积薄层的作用。结果表明 ,当溅射很弱时 。 展开更多
关键词 低能量粒子 磁控溅射沉积 薄膜 蒙特卡罗模拟
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金掺杂氧化铪薄膜的电阻转变性能研究
14
作者 陈曦 谭婷婷 +1 位作者 郭婷婷 刘正堂 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2015年第7期1114-1116,共3页
采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试。结果表明:两者均展现出可逆双极电阻转变性能,但Cu/Hf O2:Au/ITO器件的SET电压较小,电压分布更加集中... 采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试。结果表明:两者均展现出可逆双极电阻转变性能,但Cu/Hf O2:Au/ITO器件的SET电压较小,电压分布更加集中并且性能更稳定。通过对器件双对数I-V曲线拟合分析,发现其电阻转变机制为空间电荷限制电流效应。金的掺入增加了薄膜中的缺陷,提高了基于氧空位的导电通道的均一性,从而优化了器件的电阻转变性能。 展开更多
关键词 金掺杂 氧化铪薄膜 电阻转变
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沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响 被引量:8
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作者 蒋平 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 吴兆丰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期560-563,共4页
采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜,分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明,采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)... 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜,分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明,采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)峰和(101)峰的两种取向。在沉积气压〉1.0Pa时所制备的ZnO薄膜具有(002)择优取向,并且十分稳定。SEM图表明,ZnO薄膜颗粒大小较为均匀,晶粒尺寸随着气压升高而变小,沉积气压不同时,薄膜样品的生长方式有所差异。在400~1000nm范围内,可以看出除0.5Pa下制备的ZnO薄膜外,其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,吸收边在380nm附近,所对应的光学带隙约为3.23~3.27eV,并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰;沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 透射率 光学带隙 PL谱
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低能重离子轰击钛铝靶溅射原子能谱的理论 被引量:1
16
作者 张莱 张竹林 《安徽理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第2期69-75,共7页
进一步发展了文献[8-9]的各项异性溅射理论,并运用该理论研究了低能氩离子和氙离子分别轰击钛靶和铝靶的溅射原子能量分布(或溅射原子能谱),以及溅射原子谱与离子入射角以及溅射原子出射角的关系。尤其对于氩离子轰击钛靶,作者只设置了... 进一步发展了文献[8-9]的各项异性溅射理论,并运用该理论研究了低能氩离子和氙离子分别轰击钛靶和铝靶的溅射原子能量分布(或溅射原子能谱),以及溅射原子谱与离子入射角以及溅射原子出射角的关系。尤其对于氩离子轰击钛靶,作者只设置了唯一参数,新理论就可以很好的解释文献[10]的大量实验结果。当然,分析中,新理论忽略了电子阻止的贡献。对于较大的溅射原子出射角,理论值明显小于实验值,这可能是由于直接反冲对溅射原子谱的影响,因为新理论只适合于溅射碰撞级联,所以忽略了直接反冲的贡献。新理论与文献[10]大部分实验相符这一事实进一步证明了动量淀积在低能重离子碰撞溅射的重要作用,从而并进一步指导离子碰撞溅射的各种应用。 展开更多
关键词 溅射产额 溅射产额能量分布 各向异性溅射
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替位杂质对低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用影响的分子动力学模拟 被引量:1
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作者 张超 王永亮 +1 位作者 颜超 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2882-2891,共10页
采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学方法模拟了低能Pt原子与Cu,Ag,Au,Ni,Pd替位掺杂Pt(111)表面的相互作用过程,系统研究了替位原子对表面吸附原子产额、溅射产额和空位缺陷产额的影响规律,分析了低能沉积过程中沉积原... 采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学方法模拟了低能Pt原子与Cu,Ag,Au,Ni,Pd替位掺杂Pt(111)表面的相互作用过程,系统研究了替位原子对表面吸附原子产额、溅射产额和空位缺陷产额的影响规律,分析了低能沉积过程中沉积原子与基体表面的相互作用机理以及替位原子的作用及其影响规律.研究结果显示:替位原子的存在不仅影响着沉积能量较低时的表面吸附原子的产额与空间分布,而且对沉积能量较高时的低能表面溅射过程和基体表面空位的形成产生重要影响.替位原子导致的表面吸附原子产额、表面原子溅射以及空位形成的变化与替位原子的质量密切相关,质量较小的替位原子导致择优溅射以及溅射阈值的降低.此外,根据二体碰撞模型和载能原子的反射机理探讨了低能沉积过程中沉积原子与基体表面的相互作用机理. 展开更多
关键词 分子动力学 低能粒子 替位掺杂 表面原子产额 溅射 空位
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基于蒙特卡罗方法的离子束溅射熔融石英、硅、金和铜行为特征规律仿真研究 被引量:3
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作者 胡邦杰 张清华 +2 位作者 刘民才 许乔 李亚国 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第7期245-252,共8页
采用蒙特卡罗方法研究了在不同溅射参数和材料模型下,溅射产额、损伤密度分布和纵向能量损伤分布等溅射特征参量对离子束溅射作用效果的影响。通过SRIM-2013软件的粒子跟踪和物理统计结果,分析了离子束初始能量、入射角度、离子种类和... 采用蒙特卡罗方法研究了在不同溅射参数和材料模型下,溅射产额、损伤密度分布和纵向能量损伤分布等溅射特征参量对离子束溅射作用效果的影响。通过SRIM-2013软件的粒子跟踪和物理统计结果,分析了离子束初始能量、入射角度、离子种类和材料类型对表面溅射效果和能量沉积的影响规律,研究了表面损伤分布规律与溅射参数和溅射产额的关系。结果表明:85°的束源倾角设置可促进级联粒子密度集中和密度峰值群向表面移动分别达到2.8×10^(8)atom/cm^(2)和3×10^(-10)m,平均能量损失减小45.6%,Ar^(+)溅射产额提高4.7倍;声子和电离产生大量的能量损失抑制了溅射产额的提高,两种能量损失占总损失比在0°入射时分别可达69%和30%。 展开更多
关键词 材料 蒙特卡罗方法 离子束 SRIM 溅射产额 损伤分布 能量损失
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