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An effective approach to improve split-gate flash product data retention 被引量:1
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作者 Dailong Wei Zigui Cao Zhilin Tang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第10期107-110,共4页
Data retention is one of the most important reliability characteristics of split-gate flash.Therefore,many efforts were made to improve data retention of split-gate flash.By experiments,it was found that higher chlori... Data retention is one of the most important reliability characteristics of split-gate flash.Therefore,many efforts were made to improve data retention of split-gate flash.By experiments,it was found that higher chlorine concentration produced in FGSP2 oxide deposition can induce worse data retention.Thus,reducing chlorine concentration is an effective approach to improve data retention for split-gate flash product.Additional RTO annealing between FGSP2 oxide deposition and FGSP2 etching could reduce chlorine concentration,and improve FGSP2 oxide film quality,and then get better data retention. 展开更多
关键词 split-gate flash data retention RTO anneal
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Erase voltage impact on 0.18μm triple self-aligned split-gate flash memory endurance
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作者 董耀旗 孔蔚然 +2 位作者 Nhan Do 王序伦 李荣林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期74-77,共4页
The erase voltage impact on the 0.18μm triple self-aligned split-gate flash endurance is studied.An optimized erase voltage is necessary in order to achieve the best endurance.A lower erase voltage can cause more cel... The erase voltage impact on the 0.18μm triple self-aligned split-gate flash endurance is studied.An optimized erase voltage is necessary in order to achieve the best endurance.A lower erase voltage can cause more cell current degradation by increasing its sensitivity to the floating gate voltage drop,which is induced by tunnel oxide charge trapping during program/erase cycling.A higher erase voltage also aggravates the endurance degradation by introducing select gate oxide charge trapping.A progressive erase voltage method is proposed and demonstrated to better balance the two degradation mechanisms and thus further improve endurance performance. 展开更多
关键词 split-gate flash ENDURANCE erase voltage
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双源CT Flash扫描联合70 kV在儿童肺炎复查的可行性研究
3
作者 张涛 曹永佩 李正正 《中国医学计算机成像杂志》 北大核心 2025年第5期732-737,共6页
目的:探讨双源CT Flash扫描联合70 kV在儿童肺炎复查中的可行性。方法:前瞻性收集2024年1—7月因肺炎就诊我院,并完成前后两次CT扫描的30例患者,其中男14例,女16例,平均年龄(7.3±3.5)岁(5个月~11.5岁),体重指数(BMI)为(15.45±... 目的:探讨双源CT Flash扫描联合70 kV在儿童肺炎复查中的可行性。方法:前瞻性收集2024年1—7月因肺炎就诊我院,并完成前后两次CT扫描的30例患者,其中男14例,女16例,平均年龄(7.3±3.5)岁(5个月~11.5岁),体重指数(BMI)为(15.45±2.62)kg/m^(2)。根据研究方案,均采用Flash模式扫描,首次检查使用80 kV管电压,复查使用70 kV管电压,其余参数相同。比较前后两次CT扫描图像质量、辐射剂量。结果:与首次检查相比,复查的辐射剂量指标CT剂量指数(CTDIvol)、剂量长度乘积(DLP)和全身有效剂量(ED)分别降低了40.38%[(0.31±0.11)mGy vs(0.52±0.20)mGy]、40.74%[(8.67±3.76)mGy·cm vs(14.63±7.18)mGy·cm]和40.91%[(0.13±0.05)mSv vs(0.22±0.10)mSv],差异有统计学意义(均P<0.001);与首次检查图像质量相比,复查图像的背景噪声值增高,信噪比(SNR)值、对比度噪声比(CNR)值分别下降21.14%、13.42%,差异具有统计学意义(均P<0.05);2名医师对两组图像的主观评分一致性高(Kappa=0.72~0.879),两组图像的肺窗和纵隔窗图像质量评分均存在差异(P<0.001),以肺窗图像为判断标准,首次检查图像质量中位评分为5分(4分,5分),复查图像质量的中位评分为4分(3分,5分),所有图像质量均满足诊断需求。结论:70 kV联合双源CT Flash扫描在儿童肺炎复查中具有很好的可行性,图像质量可以满足临床诊断和评价治疗效果需求,且辐射剂量显著降低,值得临床推广使用。 展开更多
关键词 低管电压 双源CT flash模式 低辐射剂量 儿童肺炎
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DSP片上Flash测试系统设计与实现
4
作者 王涛 于鹏 钱昀莹 《电子技术应用》 2025年第2期41-45,共5页
在DSP芯片的可靠性筛选考核试验中,片上Flash擦写耐久和数据保持测试是最重要的试验之一。针对内建自测试和外部自动化机台测试的局限性,提出了一种DSP片上Flash测试系统的设计与实现方法。在分析了Flash故障类型和测试算法的基础上,给... 在DSP芯片的可靠性筛选考核试验中,片上Flash擦写耐久和数据保持测试是最重要的试验之一。针对内建自测试和外部自动化机台测试的局限性,提出了一种DSP片上Flash测试系统的设计与实现方法。在分析了Flash故障类型和测试算法的基础上,给出了硬件原理图和软件实现流程,并搭建了实物平台进行效果评估。测试结果表明:该系统可实现多工位DSP片上Flash自动化测试,无需人工参与。同时工作状态可实时显示,测试过程中的数据和结果自动保存在外部存储器中,便于后期进行测试结果统计分析。 展开更多
关键词 片上flash 擦写耐久 数据保持 测试系统
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基于Flash ActionScript语言的凸轮机构运动规律研究
5
作者 刘先梅 张明存 《白城师范学院学报》 2025年第2期51-57,共7页
基于Flash ActionScript语言开发了一套参数驱动的平面凸轮机构运动仿真系统,通过设计不同的虚拟实验让使用者了解平面凸轮机构的组成、工作原理、特点及其运动形式.该系统可实现用户注册、密码登陆、凸轮从动件运动规律的实验设计等不... 基于Flash ActionScript语言开发了一套参数驱动的平面凸轮机构运动仿真系统,通过设计不同的虚拟实验让使用者了解平面凸轮机构的组成、工作原理、特点及其运动形式.该系统可实现用户注册、密码登陆、凸轮从动件运动规律的实验设计等不同功能,通过参数化输入时的运动分析与仿真,自动生成凸轮轮廓及不同运动规律下的升程、速度、位移三个线图.研究结果表明,基于Flash ActionScript的凸轮机构运动规律的系统设计,实现了凸轮从动件运动规律的分析. 展开更多
关键词 flash ActionScript语言 平面凸轮机构 运动分析与仿真 参数化
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T-Flash学习软件研发及其在病理学实验课中的U-应用效果研究
6
作者 罗康华 刘昕 +2 位作者 吴亚东 刘嘉琪 蒋催蓉 《黔南民族医专学报》 2025年第2期230-233,共4页
目的:本研究旨在解决基础医学病理学实验课学习效果不佳的问题,通过研发手机端T-Flash学习软件,结合智能手机的自主、交互、便携、实时等特性,创新实验课学习方式,以激发学生的学习兴趣,提高学习效果。方法:本研究以Tips(知识小贴士)、T... 目的:本研究旨在解决基础医学病理学实验课学习效果不佳的问题,通过研发手机端T-Flash学习软件,结合智能手机的自主、交互、便携、实时等特性,创新实验课学习方式,以激发学生的学习兴趣,提高学习效果。方法:本研究以Tips(知识小贴士)、Training(训练)和Test(考核)(简称3T)为设计理念,采用消消乐Flash游戏为载体,建立病理标本图片、知识Tips等素材库;在Unity平台制作试用版软件,选取典型病理器官标本和组织切片标本图片制作游戏图标,在游戏载入、返场及点击图标时设计知识Tips闪现滚动;设置闯关关卡、竞技场及积分榜,对在线学习及互动情况进行实时监控和测评;开发基于AI技术的实验小助手,通过病理实验课考试和问卷调查进行软件应用效果评价。结果:设计并开发了T-Flash学习软件v1.0版申请软件著作权获授权。实验组的标本考试成绩与理论考试成绩较对照组显著提高(P<0.05)。T-Flash v1.0版能有效辅助学习,激发学习兴趣,提高学习成绩。50名学生的问卷调查反馈积极,软件受到学生的欢迎。结论:T-Flash消消乐学习软件在基础医学病理学实验课中的创新应用取得了显著成效,证明了其作为新型学习工具的可行性和有效性。该软件不仅能提升学生的学习效果和兴趣,还具有推广到其他学科领域的潜力。本研究为医学教育领域的学习模式创新提供了有益的探索和借鉴。 展开更多
关键词 T-flash学习软件 病理学 实验课 创新教学 flash游戏
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Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型
7
作者 翟培卓 洪根深 +3 位作者 王印权 郑若成 谢儒彬 张庆东 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期154-160,共7页
Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程... Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。 展开更多
关键词 正交试验 flash 开关单元 阈值电压 回归模型
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双源CT Turbo-Flash扫描模式CTA评价冠状动脉狭窄的价值分析
8
作者 雷力行 黄小华 +2 位作者 刘念 唐玲玲 马琳竣 《CT理论与应用研究(中英文)》 2025年第6期1128-1135,共8页
目的:分析双源CT Turbo-Flash扫描模式冠状动脉CT血管成像(CCTA)评价冠状动脉狭窄的价值。方法:选取2023年10月至2024年11月我院接受CCTA检查患者150例,依据所采用的扫描模式分为观察组(行双源CT Turbo-Flash扫描模式,n=75)、对照组(采... 目的:分析双源CT Turbo-Flash扫描模式冠状动脉CT血管成像(CCTA)评价冠状动脉狭窄的价值。方法:选取2023年10月至2024年11月我院接受CCTA检查患者150例,依据所采用的扫描模式分为观察组(行双源CT Turbo-Flash扫描模式,n=75)、对照组(采用回顾性心电门控扫描模式,n=75),分析两组扫描参数(CT-血流储备分数(CT-FFR)、管腔内CT强化密度值、Agatston钙化积分、钙化体积)、图像质量(CT值、信噪比(SNR))、辐射剂量(剂量长度乘积(DLP)、容积CT剂量指数(CTDIvol)、有效辐射剂量(ED))。结果:观察组CT-FFR、管腔内CT强化密度值、Agatston钙化积分高于对照组;双源CT Turbo-Flash扫描模式下,随冠状动脉狭窄程度增加,获得的CT-FFR、管腔内CT强化密度值、Agatston钙化积分增加;以数字减影血管造影(DSA)为金标准,观察组诊断冠状动脉中重度狭窄的敏感度、特异度、准确度分别为96.43%、87.23%和90.67%,与对照组差异均无统计学意义;两组CT值、SNR、图像质量比较差异无统计学意义;观察组DLP、CTDIvol、ED均低于对照组。结论:双源CT Turbo-Flash扫描模式下行CCTA检查,评估冠状动脉狭窄的准确性、图像质量较好,可通过定量参数对狭窄程度予以评估,同时其DLP、CTDIvol、ED均较少,值得在临床推广实践。 展开更多
关键词 双源CT Turbo-flash扫描模式 冠状动脉CT成像 冠状动脉狭窄 图像质量 有效辐射剂量
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应用于Flash型FPGA的正高压电荷泵 被引量:1
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作者 江少祥 禹胜林 +1 位作者 马金龙 吴楚彬 《电子科技》 2025年第3期75-81,共7页
Flash型FPGA(Filed Programmable Gate Array)在进行编程操作时,电荷泵为编程管栅端提供正高压。为满足Flash型FPGA的上电及时运行性和编程稳定性,要求电荷泵不仅能输出高压,还应具有较快的启动速度和较小的输出电压纹波。文中基于传统... Flash型FPGA(Filed Programmable Gate Array)在进行编程操作时,电荷泵为编程管栅端提供正高压。为满足Flash型FPGA的上电及时运行性和编程稳定性,要求电荷泵不仅能输出高压,还应具有较快的启动速度和较小的输出电压纹波。文中基于传统交叉耦合电荷泵提出一种正高压电荷泵。电荷泵的主体采取并联双支路结构,降低了输出电压纹波,采用六相不交叠时钟和新增时钟升压模块对电荷泵进行时序控制,在消除了反向电流影响的同时提高了电荷泵启动速度。在输出端设置稳压模块进行稳压调节,保证编程稳定性。仿真结果表明,在电源电压为3.3 V、时钟频率为20 MHz、负载电容为50 pF的条件下,电荷泵启动时间为6.6μs,输出电压稳定到15 V,输出纹波仅有23 mV。采用0.18μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺流片后,测试结果满足Flash型FPGA的编程需求。 展开更多
关键词 flash型FPGA 编程 高压 交叉耦合 并联双支路 六相不交叠时钟 纹波 电荷泵
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大规模Flash型FPGA整体功能仿真验证方法研究
10
作者 蔺旭辉 马金龙 +3 位作者 曹杨 熊永生 曹靓 赵桂林 《电子与封装》 2025年第1期71-76,共6页
提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型,采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法,结合编程功能案例,对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证,并且提出了加... 提出了一种大规模Flash型FPGA整体电路编程后功能仿真验证的方法。通过对核心Flash单元建立数字Verilog等效模型,采用整体数字仿真验证和模拟仿真验证的方法,结合编程功能案例,对器件内部所有的资源模块进行功能仿真验证,并且提出了加快整体电路数字仿真速度的方法。将提出的仿真验证方法成功应用于大规模Flash型FPGA芯片设计验证,得到了正确的验证结果,整体电路仿真验证速度得到了显著提升。 展开更多
关键词 flash FPGA VERILOG 验证
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3D NAND FLASH存储器辐射效应研究进展及展望
11
作者 向爽 张国和 +2 位作者 李洋 白豪杰 贺朝会 《微电子学与计算机》 2025年第10期85-100,共16页
相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于... 相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于平面器件的辐射响应机制。综述了3D NAND FLASH存储器辐射效应的研究现状,介绍了空间辐射环境下3D NAND FLASH的总剂量效应与单粒子效应(重离子、质子、中子)的研究进展,分析了涉及的辐射损伤机理和性能退化规律。结果表明,三维结构设计在一定程度上提高了器件的抗总剂量效应和单粒子效应能力。重点探讨了三维结构特有的辐射响应现象,包括总剂量辐射响应在垂直堆叠层结构中的“U”型非均匀变化、重离子效应中阈值电压的双次级峰分布等。最后,基于3D NAND FLASH的发展趋势,对先进NAND FLASH(尤其是面向超高堆叠层数和三维封装微模组方向发展的器件)辐射效应未来的研究方向和抗辐射加固思路进行了展望。 展开更多
关键词 3D NAND flash存储器 总剂量效应 单粒子效应 损伤机理
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基于NAND Flash的ECC校验
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作者 朱振麟 焦新泉 《电子器件》 2025年第5期1008-1012,共5页
针对NAND Flash在数据存储过程中出现的小几率“位错误”,对数据存储的可靠性带来很大影响的问题,提出基于汉明码的ECC数据检测及纠正算法,可以检测2 bit错误且检测并纠正1 bit错误。选用三星生产的K9WAG08U1A,该芯片一页容量为2 kbyte... 针对NAND Flash在数据存储过程中出现的小几率“位错误”,对数据存储的可靠性带来很大影响的问题,提出基于汉明码的ECC数据检测及纠正算法,可以检测2 bit错误且检测并纠正1 bit错误。选用三星生产的K9WAG08U1A,该芯片一页容量为2 kbyte,以一页为单位生成ECC校验码,增强可行性的同时可以实现1 bit/2 kbyte的纠错及2 bit/2 kbyte的检错能力。针对传统校验码生成速度慢,影响数据传输速率,提出校验码的预生成机制。测试结果表明,该算法可行性强,提高了数据传输的速率及可靠性。 展开更多
关键词 NAND flash 小几率 ECC校验码 可靠性
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一种非接触式FPGA配置Flash快速烧写方法
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作者 王博 张瑜莹 +1 位作者 高鹏 李飞飞 《信息技术与信息化》 2025年第3期71-74,共4页
文章使用Xilinx公司Artix-7 XC7A100T FPGA与Micro公司28F00AP30T BPI配置Flash构成FPGA配置逻辑,并由2片ESP8266通讯芯片构建上位机与FPGA间的双向无线通信链路,共同组建Flash快速烧写实验平台。通过对Flash编程特性和无线通讯芯片工... 文章使用Xilinx公司Artix-7 XC7A100T FPGA与Micro公司28F00AP30T BPI配置Flash构成FPGA配置逻辑,并由2片ESP8266通讯芯片构建上位机与FPGA间的双向无线通信链路,共同组建Flash快速烧写实验平台。通过对Flash编程特性和无线通讯芯片工作方式的研究,编写基于FPGA的Flash快速烧写逻辑,设计了一种使用Wi-Fi传输的基于FPGA的非接触式配置Flash快速烧写方法,实现了非接触式更新FPGA配置Flash中的加载文件,为精简外部接口、提升产品气密性设计提供了一种可借鉴的思路。通过在Flash快速烧写实验平台中的验证,文章介绍的非接触式Flash快速烧写方法可以高效可靠的完成存储器件中FPGA配置文件的更新。 展开更多
关键词 FPGA 配置flash 非接触式 快速烧写
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中国FLASH放射疗法快速发展的机遇和挑战
14
作者 罗辉 杨成梁 葛红 《中国肿瘤》 北大核心 2025年第4期326-330,共5页
近年来,FLASH放射疗法(FLASH radiotherapy,FLASH-RT)作为国际上一种尖端放疗技术,理论研究和临床试验发展迅速。FLASH-RT能够在极短时间(通常≤500 ms)内实施超高剂量率(平均剂量率≥40 Gy/s,瞬时剂量率≥100 Gy/s)照射,在保持相同肿... 近年来,FLASH放射疗法(FLASH radiotherapy,FLASH-RT)作为国际上一种尖端放疗技术,理论研究和临床试验发展迅速。FLASH-RT能够在极短时间(通常≤500 ms)内实施超高剂量率(平均剂量率≥40 Gy/s,瞬时剂量率≥100 Gy/s)照射,在保持相同肿瘤控制率的前提下,正常组织损伤小于同剂量的常规剂量率照射,即FLASH效应。FLASH-RT具有独特的放射生物学优势,是目前国际放射肿瘤学界的前沿领域。中国在FLASH-RT的研发和临床试验方面取得了飞跃式的进展,成为重要的参与者。全文对中国FLASH-RT面临的新挑战和机遇进行了全面的阐述。 展开更多
关键词 flash放疗 临床研究 机遇 挑战 中国
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高能X射线FLASH放射治疗:基于低气压电离室的束流监视器物理及性能
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作者 赵继荣 羊奕伟 +2 位作者 张毅 王诗岚 冯松 《物理学报》 北大核心 2025年第14期360-368,共9页
超高剂量率X射线(简称XFLASH)的剂量实时准确监测在XFLASH放射治疗临床前后都起着关键作用.本文研究了一种用于XFLASH放射治疗剂量在线监测的低气压电离室(LPIC),并将其作为XFLASH束流的监视器.开展了电离室物理设计,两个独立腔室分别... 超高剂量率X射线(简称XFLASH)的剂量实时准确监测在XFLASH放射治疗临床前后都起着关键作用.本文研究了一种用于XFLASH放射治疗剂量在线监测的低气压电离室(LPIC),并将其作为XFLASH束流的监视器.开展了电离室物理设计,两个独立腔室分别放置高压极、收集极和保护极.高压极与收集极电极间距为1 mm,腔室气压约5 kPa.实验分析了该监视器的坪曲线、剂量重复性、剂量线性等性能.测试结果表明,研制的低气压电离室表现出优异的剂量线性(R^(2)>0.999)和剂量重复性(变异系数小于0.5%),被证明是一种可靠的剂量监视器,其性能满足国家标准对放射治疗剂量监视系统的要求. 展开更多
关键词 flash放射治疗 低气压电离室 束流监视器 性能测试
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基于ConvTCN-FLASH-Transducer的端到端语音识别
16
作者 代学欣 杨淑莹 《现代电子技术》 北大核心 2025年第12期47-53,共7页
针对语音识别编码器对FBank音频局部信息提取不足,不能充分挖掘帧与帧之间时序性的联系以及注意力机制复杂度高的问题,提出一种基于RNN-Transducer架构的ConvTCN-FLASH-Transducer模型。该模型采用卷积神经网络模块和FLASH注意力模块相... 针对语音识别编码器对FBank音频局部信息提取不足,不能充分挖掘帧与帧之间时序性的联系以及注意力机制复杂度高的问题,提出一种基于RNN-Transducer架构的ConvTCN-FLASH-Transducer模型。该模型采用卷积神经网络模块和FLASH注意力模块相结合的方法,首先使用多尺度卷积提取音频特征的局部信息,再通过时序卷积神经网络(TCN)提取音频特征中帧与帧之间的时序性特征,用于加强音频局部信息的联系。此外,采用挤压和激励机制增强不同通道之间的关联,并提升关键通道的重要程度。在中文开源普通话数据集THCHS30上进行训练和实验,结果表明,ConvTCN-FLASHTransducer模型最终字错误率降低至4.2%,识别效果更好。 展开更多
关键词 语音识别 时序卷积神经网络 flash模型 RNN-Transducer 特征提取 挤压和激励机制
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FlashFX与TrueFFS闪存转换层性能对比分析
17
作者 吴云 余松涛 徐宁 《航空计算技术》 2025年第6期80-83,共4页
研究聚焦于闪存转换层(FTL)中间件的性能差异,在256 MB Nor Flash硬件平台上,对FlashFX和TrueFFS两种闪存转换层进行了系统性对比评估,通过测量包括扇区擦除、文件打开、文件删除、单文件写入及文件连续写入等关键操作的耗时,量化分析... 研究聚焦于闪存转换层(FTL)中间件的性能差异,在256 MB Nor Flash硬件平台上,对FlashFX和TrueFFS两种闪存转换层进行了系统性对比评估,通过测量包括扇区擦除、文件打开、文件删除、单文件写入及文件连续写入等关键操作的耗时,量化分析两者性能表现。结果表明FlashFX与TrueFFS在不同操作场景下(如擦除粒度处理、写入调度策略)存在显著性能差异,TrueFFS适用于高可靠性、长寿命需求的系统,FlashFX更适合对操作速度敏感的应用,二者选择需基于具体场景的性能与寿命进行权衡。 展开更多
关键词 闪存转换层(FTL) flashFX TRUEFFS Nor flash
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Flash-PEO of magnesium:Phosphate precursor driven functionalization 被引量:2
18
作者 M.H.Guerra-Mutis J.M.Vega +2 位作者 M.I.Barrena E.Matykina R.Arrabal 《Journal of Magnesium and Alloys》 2025年第2期592-612,共21页
In this study,a phosphate-based conversion coating(PCC)was applied as a precursor before forming silicate-fluoride(SiF)and silicate-phosphate-fluoride(SiPF)based flash-plasma electrolytic oxidation(Flash-PEO)coatings ... In this study,a phosphate-based conversion coating(PCC)was applied as a precursor before forming silicate-fluoride(SiF)and silicate-phosphate-fluoride(SiPF)based flash-plasma electrolytic oxidation(Flash-PEO)coatings on AZ31B magnesium alloy.The main novelty is the successful incorporation of calcium,zinc,manganese and phosphate species into the Flash-PEO coatings via a precursor layer rather than using the electrolyte.The precursor also led to longer lasting and more intense discharges during the PEO process,resulting in increased pore size.Corrosion studies revealed similar short-term performance for all coatings,with impedance modulus at low frequencies above 10^(7)Ωcm^(2),and slightly better performance for the SiPF-based coating.Nonetheless,the enlarged pores in the PEO coatings functionalized with the PCC precursor compromised the effectiveness of self-healing mechanisms by creating diffusion pathways for corrosive species,leading to earlier failure.These phenomena were effectively monitored by recording the open circuit potential during immersion in 0.5 wt.%NaCl solution.In summary,this study demonstrates that conversion coatings are a viable option for the functionalization of PEO coatings on magnesium alloys,as they allow for the incorporation of cationic and other species.However,it is crucial to maintain a small pore size to facilitate effective blockage through self-healing mechanisms. 展开更多
关键词 AZ31B magnesium alloy PHOSPHATES Chemical conversion coating flash plasma electrolytic oxidation Electrochemical impedance spectroscopy Transmission electron microscopy
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ROTS场景下NAND Flash的校验算法研究
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作者 肖平 俞伟国 +2 位作者 王承恩 祝鹏 段俊欢 《电工技术》 2025年第22期276-279,共4页
为避免NAND Flash存在的多位错误缺陷对二次设备搭载的ROTS的运行造成影响,提出了一种适用于ROTS场景下的ECC校验算法。结合二次设备存储和处理的数据种类多、数据量大的特点,移植了YAFFS2文件管理系统对数据进行管理,提高了存储介质的... 为避免NAND Flash存在的多位错误缺陷对二次设备搭载的ROTS的运行造成影响,提出了一种适用于ROTS场景下的ECC校验算法。结合二次设备存储和处理的数据种类多、数据量大的特点,移植了YAFFS2文件管理系统对数据进行管理,提高了存储介质的寿命和可靠性;基于YAFFS2系统和传统的BCH纠错码,优化设计了BCH的编译码模块,确保多位错误的准确检错和纠错。试验结果表明,基于YAFFS2文件管理系统的ECC纠错算法不仅可实现对错误位的检测和纠正,还能保证数据读取速率的降幅不超过1%,可满足ROTS场景下的使用需求。 展开更多
关键词 NAND flash ECC校验 BCH算法 位错误
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提高Flash存储器擦写寿命的方法探讨
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作者 方誉 刘艳媚 +7 位作者 苏晨飞 徐京生 陈雷宏 郑建峰 泮利敏 金渠成 丁毅 阮立波 《电工技术》 2025年第17期194-195,198,共3页
在实际应用中,Flash存储器的可靠性和使用寿命常因擦写次数限制而受到影响。为解决这一问题,提出通过优化擦写操作、减少擦写次数及实现数据管理策略,提高Flash存储器的擦写寿命,为存储器技术的进一步发展提供了有益的指导。
关键词 flash存储器 擦写寿命 数据管理策略
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