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High-resolution 1 MS/s sub-2 radix split-capacitor SAR ADC 被引量:2
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作者 Chao Cao Zhangming Zhu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第10期90-95,共6页
This paper proposes a high-resolution successive-approximation register(SAR) analog-to-digital converter(ADC) with sub-2 radix split-capacitor array architecture.The built-in redundancy of sub-2 radix architecture... This paper proposes a high-resolution successive-approximation register(SAR) analog-to-digital converter(ADC) with sub-2 radix split-capacitor array architecture.The built-in redundancy of sub-2 radix architecture provides additional information in the digital calibration based on offset double injection.The calibration method is simple in structure and fast in convergence.The correction of errors in each bit is independent of those in the previous bit.A split-capacitor array is used to reduce the total capacitance especially in a high-resolution SAR ADC.An offset signal is injected by the switching scheme of capacitor array to minimize the hardware overhead.The prototype of 0.18 μm CMOS process obtains 14.46 bit ENOB and 95.65 dB SFDR after calibration.With calibration,the INL and DNL are-0.813/0.938 and-0.625/0.688,respectively. 展开更多
关键词 sub-2 radix split-capacitor sar adc REDUNDANCY digital calibration high resolution
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一种基于SAR ADC的数字温度传感器
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作者 王洋 刘依桦 +2 位作者 郭宇锋 高昊 张翼 《电子器件》 2025年第4期932-936,共5页
基于SAR ADC结构采用0.18μm CMOS工艺设计实现了一种宽温度区间传感器单片集成电路。感温电路基于双极型晶体管的PTAT特性设计,并使用动态匹配技术减小失配,使用斩波技术减小噪声。为了在宽感温区间工作,在SAR ADC的逻辑部分设计了一... 基于SAR ADC结构采用0.18μm CMOS工艺设计实现了一种宽温度区间传感器单片集成电路。感温电路基于双极型晶体管的PTAT特性设计,并使用动态匹配技术减小失配,使用斩波技术减小噪声。为了在宽感温区间工作,在SAR ADC的逻辑部分设计了一种改进的TSPC寄存器。仿真结果显示芯片可在-110℃~+120℃温度区间内工作,测温精度为-3.2℃~+3.3℃。芯片内核面积为0.42 mm^(2),功耗为9.76 mW。 展开更多
关键词 温度传感器 感温电路 sar adc 模拟集成电路
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用于生理信号采集的SAR ADC技术研究进展
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作者 李亚琳 刘凯 +2 位作者 李昊澎 杨鹏飞 李严 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第11期1245-1258,共14页
在医疗电子系统中,与人体相关的模拟信号需要被转换为数字信号,以此实现相应的医疗功能。因此,模数转换器(ADC)作为关键组成部分,其性能对系统有重要影响。针对不同的信号特性和具体的应用场景,医疗电子系统可以选择不同类型的ADC来进... 在医疗电子系统中,与人体相关的模拟信号需要被转换为数字信号,以此实现相应的医疗功能。因此,模数转换器(ADC)作为关键组成部分,其性能对系统有重要影响。针对不同的信号特性和具体的应用场景,医疗电子系统可以选择不同类型的ADC来进行模数转换,逐次逼近型ADC(SAR ADC)凭借低功耗、小面积、中等精度及良好的噪声控制能力,在生理信号采集领域得到了广泛应用。综述了不同类型ADC在生理信号采集中的应用及其优缺点,针对应用最为广泛的SAR ADC,系统分析了目前主流的低功耗及高精度设计技术。在此基础上,进一步展望了用于医疗领域SAR ADC的未来发展方向与面临的挑战,以期为SAR ADC的设计和性能优化提供有价值的参考。 展开更多
关键词 医疗电子系统 模数转换器 综述 逐次逼近型adc 低功耗 高精度
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一种采用电阻阵列的SAR ADC设计
4
作者 欧昊然 张轩雄 《电子科技》 2025年第6期58-64,共7页
SAR ADC(Successive Approximation Register Analog Digital Converter)是一种低功耗、结构简单、性能可靠的ADC,其精度和采样速率的可选范围较大,因此被广泛应用于各种集成电路中。传统SAR ADC采用电容阵列提供模拟参考电压,但电容阵... SAR ADC(Successive Approximation Register Analog Digital Converter)是一种低功耗、结构简单、性能可靠的ADC,其精度和采样速率的可选范围较大,因此被广泛应用于各种集成电路中。传统SAR ADC采用电容阵列提供模拟参考电压,但电容阵列需要较大面积,因此降低了单位晶圆的产出率,增加了成本。文中采用一种已有R2R DAC(Digital Analog Converter)结构代替电容阵列提供模拟参考电压以减小电路面积。相比传统电阻DAC结构,R2R DAC结构功耗更小。在电路设计中增加翻转电路消除共模噪声,在版图绘制时加入保护环和赝管来确保匹配度与可靠性。在精度相同的情况下,SAR ADC电路有效面积减小了约35%。抽取寄生参数后仿真所得ADC的ENOB(Effective Number of Bits)为9.93 bit,SNDR(Signal-to-Noise-and-Distortion Ratio)为61.51 dB,且在不同PVT(Process Voltage Temperature)情况下仿真的误差均小于1 LSB(Least Significant Number)。 展开更多
关键词 sar adc DAC 集成电路 模拟电路 比较器 电阻阵列 差分电路 版图匹配
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基于kT/C噪声消除和失配误差整形技术的二阶无源噪声整形SAR ADC设计
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作者 傅建军 宜天格 +1 位作者 刘佳欣 蒋和全 《微电子学》 北大核心 2025年第1期114-119,共6页
逐次逼近型(Successive Approximation Register, SAR)模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)是一种结构简单、对制程演进友好且高能效的ADC结构,然而其精度主要受限于采样噪声、数模转换器(Digital-to-Analog Converter, DAC)... 逐次逼近型(Successive Approximation Register, SAR)模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)是一种结构简单、对制程演进友好且高能效的ADC结构,然而其精度主要受限于采样噪声、数模转换器(Digital-to-Analog Converter, DAC)失配和比较器噪声。提出的基于采样噪声消除和DAC失配误差整形技术的噪声整形SAR ADC可以全面地处理这些误差源。其中,采样噪声通过预采样kT/C噪声消除技术进行处理,DAC的失配误差由数据权重平均(Data Weighted Averaging,DWA)和失配误差整形(Mismatch Error Shaping,MES)技术滤波到带外,同时使用二阶噪声整形技术降低比较器噪声。在40 nm CMOS工艺下设计了一款噪声整形SAR ADC芯片,仿真结果显示,该ADC芯片在2.8 MHz带宽下实现了86.8 dB的信噪失真比(Signalto-Noise and Distortion Ratio, SNDR),功耗为3.8 mW。 展开更多
关键词 模数转换器 采样噪声消除 DAC失配误差整形 噪声整形
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一种用于电容式触控芯片的小面积SAR ADC
6
作者 杜小雷 肖金球 +2 位作者 顾逸涛 赵红华 徐一奇 《微电子学与计算机》 2025年第11期98-105,共8页
由于电容式触控芯片对报点率要求一般需要大于120 Hz,需要内置多个ADC实时采样。针对电容式触控领域应用,设计了一款3.3 V供电,8 MS/s采样率,14位精度的小面积逐次逼近型模数转换器(Successive Approximation Register Analog-to-Digita... 由于电容式触控芯片对报点率要求一般需要大于120 Hz,需要内置多个ADC实时采样。针对电容式触控领域应用,设计了一款3.3 V供电,8 MS/s采样率,14位精度的小面积逐次逼近型模数转换器(Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter,SAR ADC),采用栅压自举开关实现14位高精度采样。在减小芯片面积策略上,使用了比例基准二步式DAC(Digital to Analog Converter),实现14位ADC只需要7位电容DAC,有效减少芯片面积。采用了具有三级级联前置放大器的动态比较器,具有速度快功耗低的优势,也能有效减小输入失调电压与噪声。采样保持电路部分,采用了CMOS全差分采样保持电路,可以处理大范围的输入共模信号,且面积较小噪声较低。ADC设计采用180 nm 1P4M CMOS工艺,实现了14位转换位数、有效位11.84、74.03 dB的信噪失真比,3.3 V电源下功耗为500.9μW,芯片面积0.16 mm^(2)。 展开更多
关键词 模数转换器 逐次逼近 二步式 电容式触控
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一种基于两步式SAR ADC架构的智能温度传感器
7
作者 曹亦栋 陈雷 +3 位作者 初飞 李建成 张健 李全利 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期603-611,共9页
针对高速接口芯片的局部结温监测问题,设计了一种基于两步式逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的片上智能温度传感器,该传感器可配合上位机实现对全芯片温度的实时监测,并输出数字温度码。电路对横向pnp管的基极-发射极电压进行采样,设计... 针对高速接口芯片的局部结温监测问题,设计了一种基于两步式逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的片上智能温度传感器,该传感器可配合上位机实现对全芯片温度的实时监测,并输出数字温度码。电路对横向pnp管的基极-发射极电压进行采样,设计了温度监测模块进行量化比较。电路采用了两步式SAR ADC进行10 bit数字温度码的转换输出,两步式SAR ADC通过调节电阻阵列实现粗量化,调节比较器输入管阵列进行细量化。电路基于28 nm CMOS工艺设计,模块面积为0.049 mm^(2)。仿真结果表明,27℃、1.8 V电源电压下温度传感器的最大动态功耗为379μW,在10 MHz参考时钟下的输出响应时间为37.1μs。测试结果表明,芯片温度为62.8~124.5℃时温度传感器温度测量的误差为±1.5℃。 展开更多
关键词 高速接口芯片 温度传感器 横向pnp管 温度监测模块 两步式逐次逼近型模数转换器(sar adc)
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一种12位100 kS/sR-C混合型SAR ADC
8
作者 邹贤婧 吴逸飞 万美琳 《微电子学与计算机》 2025年第1期75-83,共9页
提出了一种单调性优异的R-C混合型SAR ADC。其高八位DAC采用电阻型结构,低四位DAC采用电容型结构,通过高八位DAC中电阻串分压结构将基准电压进行等分,选择与输入采样信号最接近的电压,再将该电压输入至低四位电容型DAC中进行电荷重分配... 提出了一种单调性优异的R-C混合型SAR ADC。其高八位DAC采用电阻型结构,低四位DAC采用电容型结构,通过高八位DAC中电阻串分压结构将基准电压进行等分,选择与输入采样信号最接近的电压,再将该电压输入至低四位电容型DAC中进行电荷重分配过程,最终实现12位DAC输出。为减小工艺失配引起的误差,此低四位CDAC仅包括比例为15C:C的两个电容,其中15C电容接高八位电阻型DAC的输出电压,该电压受高八位控制信号D[11:4]影响,而C电容所连接的电压值也由高八位电阻型DAC输出,该电压受高八位与低四位控制信号D[11:0]影响。由于低四位电容型DAC的输入电压只与高八位电阻型DAC输出电压相关,同时电阻型DAC具有较好的单调性,因此只需保证低四位DAC中15C和C之间匹配良好,就可以获得优异的单调性。同时,该SAR ADC兼容差分输入和单端输入模式。基于华虹GRACE 0.11μm CMOS工艺进行设计和实现后,仿真结果表明:在各个工艺角、温度情况下,该SAR ADC的DNL、INL均小于±1 LSB,典型情况下ENOB为11.4 bit,最大功耗不超过600μA,能够适用于中高精度、低成本的应用需求。 展开更多
关键词 sar adc 比较器 混合型DAC 单调性 采样模式
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一种基于双电容阵列和部分交织技术的高速Pipelined-SAR ADC
9
作者 高杰 邓红辉 +2 位作者 张浩 陶泽华 林昌海 《微电子学》 北大核心 2025年第2期189-196,共8页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种12位100 MS/s的两级Pipelined-SAR ADC。在第一级设计了一种双电容阵列和部分交织技术相结合的高速结构,采用一个小DAC快速量化,并控制两个大DAC按照时间交织的方式轮流读取小DAC的量化结果,并进行... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种12位100 MS/s的两级Pipelined-SAR ADC。在第一级设计了一种双电容阵列和部分交织技术相结合的高速结构,采用一个小DAC快速量化,并控制两个大DAC按照时间交织的方式轮流读取小DAC的量化结果,并进行相应的翻转为后级提供余量电压。该结构提升了第一级量化速度,同时还解决了第一级在进行下一次采样前需要等待放大相结束的问题,有效提升了ADC速度。对于该结构中多条采样路径的采样时间失配带来的误差电压,设计了2位级间冗余位以提供较大的误差容忍范围,保证了ADC的精度。通过仿真验证,在1.8 V的电源电压和100 MS/s的采样率下,输入频率为49.609375 MHz、幅度为3.6 V的正弦波差分信号时,ADC的ENOB达到了11.0 bit,SFDR为80.6 dB,功耗为7.19mW。 展开更多
关键词 高速Pipelined-sar adc 双电容阵列结构 部分交织技术
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一种用于噪声整形流水线SAR ADC的动态放大器
10
作者 陶泽华 邓红辉 +1 位作者 何超越 陈宏育 《微电子学》 北大核心 2025年第3期347-352,共6页
介绍了一种用于噪声整形流水线逐次逼近寄存器型模数转换器(NS Pipe-SAR ADC)的低功耗动态放大器,在ADC中的误差反馈运增益放大器和级间余差放大器中均采用该动态放大器。相比于传统的动态放大器,该动态放大器基于浮空反相器型放大器(F... 介绍了一种用于噪声整形流水线逐次逼近寄存器型模数转换器(NS Pipe-SAR ADC)的低功耗动态放大器,在ADC中的误差反馈运增益放大器和级间余差放大器中均采用该动态放大器。相比于传统的动态放大器,该动态放大器基于浮空反相器型放大器(FIA)架构,采用一种新型的体效应辅助相关电平移位技术。与传统的FIA相比,该动态放大器仅需额外的移位电容,在相同的功耗下将增益提高了4 dB,提高了ADC能效。本文基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,动态放大器增益可达到ADC系统所需的16倍,带宽为500 MHz,功耗为50.4μW。 展开更多
关键词 浮空反相器型放大器 体效应辅助相关电平移位 噪声整形流水线逐次逼近寄存器型模数转换器
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一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核 被引量:9
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作者 杨银堂 佟星元 +1 位作者 朱樟明 管旭光 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第12期2993-2998,共6页
该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Sig... 该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Significant-Bit)+3LSB(Least-Significant-Bit)"R-C混合D/A转换方式,有效减小了IP核的面积,并通过采用高位电阻梯复用技术有效减小了系统对电容的匹配性要求。在比较器的设计上,通过采用一种低失调伪差分比较技术,有效降低了输入失调电压。在版图设计上,结合电容阵列对称布局以及电阻梯伪电阻包围的版图设计方法进行设计以提高匹配性能。整个IP核的面积为322μm×267μm。在2.5V模拟电压以及1.2V数字电压下,当采样频率为200kS/s,输入频率为1.03kHz时,测得的无杂散动态范围(Spurious-Free Dynamic Range,SFDR)和有效位数(Effective Number Of Bits,ENOB)分别为68.2dB和9.27,功耗仅为440μW,测试结果表明本文ADC IP核非常适合嵌入式系统的应用。 展开更多
关键词 模数转换器(adc) 逐次逼近寄存器(sar) 触摸屏SoC CMOS 低功耗
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一种用于无电池胎压监测系统的低功耗8 bit SAR ADC设计 被引量:3
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作者 王义 乌力吉 +2 位作者 张向民 吴行军 方华军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第10期91-96,共6页
在无电池胎压监测系统中,为降低ADC功耗,采用了一种改进的DAC结构并设计实现了一款低功耗8bit SAR ADC.与传统结构中采用Vref作为参考电压相比,设计中DAC采用Vref/2作为参考电压,并实现了(0,Vref)的满量程输入,在DAC的量化中可降低87... 在无电池胎压监测系统中,为降低ADC功耗,采用了一种改进的DAC结构并设计实现了一款低功耗8bit SAR ADC.与传统结构中采用Vref作为参考电压相比,设计中DAC采用Vref/2作为参考电压,并实现了(0,Vref)的满量程输入,在DAC的量化中可降低87.5%动态功耗.在完成电路和版图设计后,仿真结果显示,在采样率为2kS/s,电源电压为3V,参考电压为1.5V时,ADC平均动态功耗为0.9μW.MATLAB频谱分析显示,ADC有效位数为7.6bit,无杂散动态范围为63.2dB,工作温度范围为-40~125℃.并已运用于胎压监测SoC中提交0.35μm BCD汽车电子工艺流片. 展开更多
关键词 无电池 胎压监测系统 sar adc 低功耗 高稳定性
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一种性能指标可配置的SAR ADC的设计与实现 被引量:5
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作者 居水荣 谢亚伟 +1 位作者 王津飞 朱樟明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期335-341,348,共8页
提出了一种分辨率、电源电压等性能指标可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC)的设计思想和实现方式。分析了SAR ADC的采样速率、精度、功耗和能量效率等主要性能指标之间的关系,提出了性能参数可配置SAR ADC的设计构想。介绍... 提出了一种分辨率、电源电压等性能指标可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC)的设计思想和实现方式。分析了SAR ADC的采样速率、精度、功耗和能量效率等主要性能指标之间的关系,提出了性能参数可配置SAR ADC的设计构想。介绍了性能指标可配置SAR ADC的实现方式,包括分辨率的配置、采样速率的可变以及电源电压的可调等。基于0.18μm CMOS工艺完成了ADC的版图设计、工艺加工和性能参数测试,ADC核心部分芯片面积仅为360μm×550μm。测试结果表明,SAR ADC的分辨率为6~10 bit、电源电压为0.5~0.9 V,在10 bit模式以及0.5 V电源电压下,该SAR ADC信噪失真比(SNDR)和无杂散动态范围(SFDR)分别可达到56.36 dB和67.96 dB,采样速率可达到2 MS/s,能量效率优值(FOM)为20.6 fJ/conversion-step。 展开更多
关键词 模数转换器(adc) 逐次逼近寄存器(sar) 低功耗 分辨率可配置 电源电压可变
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一种基于电容匹配算法的低噪声SAR ADC设计 被引量:2
14
作者 徐代果 陈光炳 刘涛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期573-577,共5页
设计了一个12位,采样速率为120kS/s的SAR ADC。提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化。通过对比较器的设计,解决了在噪声环境下,影响比较器性能的电荷注入、带宽、转换... 设计了一个12位,采样速率为120kS/s的SAR ADC。提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化。通过对比较器的设计,解决了在噪声环境下,影响比较器性能的电荷注入、带宽、转换速度等问题。在0.35μm2P5MCMOS工艺下进行了流片,测试结果表明,设计的SAR ADC的DNL和INL均小于±1LSB,功耗为1.5mW。 展开更多
关键词 sar adc 电容匹配 低噪声比较器
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一种10 bit双通道流水线SAR ADC设计 被引量:3
15
作者 刘东海 韦忠善 邓云 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第4期922-928,共7页
为了提高模数转换器的采样频率并降低其功耗,提出一种10 bit双通道流水线逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)。提出的ADC包括两个高速通道,每个通道都采用流水线SAR结构以便低功率和减小面积。考虑到芯片面积、运行速度以及电路复杂性,提... 为了提高模数转换器的采样频率并降低其功耗,提出一种10 bit双通道流水线逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)。提出的ADC包括两个高速通道,每个通道都采用流水线SAR结构以便低功率和减小面积。考虑到芯片面积、运行速度以及电路复杂性,提出的处于第二阶段的SAR ADC由1 bit FLASH ADC和6 bit SAR ADC组成。提出的ADC由45 nm CMOS工艺制作而成,面积为0.16 mm^2。ADC的微分非线性和积分非线性分别小于0.36最低有效位(LSB)和0.67 LSB。当电源为1.1 V时,ADC的最大运行频率为260 Msample/s。运行频率为230 Msample/s和260 Msample/s的ADC的功率消耗分别为13.9 m W和17.8 m W。 展开更多
关键词 模数转换器(adc) 双通道 流水线 逐次逼近型(sar)
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基于植入式眼压检测应用的低功耗SAR ADC设计 被引量:2
16
作者 马志峰 李熙泽 +1 位作者 张锋 陈铖颖 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第11期135-139,共5页
为了确保植入式眼压传感器在体内长期保持稳定的工作状态,同时能较为精准地反映人体眼压变化,设计了一种应用于青光眼治疗的植入式眼压检测传感器的10bit,20kS/s低功耗逐次逼近型数字模拟转换器(SAR ADC).该电路内置的DAC使用全电容阵... 为了确保植入式眼压传感器在体内长期保持稳定的工作状态,同时能较为精准地反映人体眼压变化,设计了一种应用于青光眼治疗的植入式眼压检测传感器的10bit,20kS/s低功耗逐次逼近型数字模拟转换器(SAR ADC).该电路内置的DAC使用全电容阵列设计,利用对称电容阵列结构提高缩放电容的匹配精度;比较器采用三级预放大器加一级动态锁存器结构,并引入了失调校准功能.电路采用SMIC 0.18μm 1P6M工艺进行设计,后仿真结果表明,在20kS/s的采样速率下,有效位数可达9.4bit,平均功耗仅为44.7μW. 展开更多
关键词 植入式 眼压检测 低功耗 sar adc
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一种10 bit 1 MS/s SAR ADC的设计实现 被引量:4
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作者 李现坤 张瑛 +1 位作者 郭宇锋 杨恒新 《计算机技术与发展》 2014年第8期210-214,共5页
基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种采样率达到1 MS/s的10位逐次逼近模数转换器,其中逐次逼近数字控制逻辑采用全定制的方法,减小了数字单元的面积和功耗;比较器中的预放大器分别采用了二极管连接和开关管复位的方式将各级运放的输出短接... 基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种采样率达到1 MS/s的10位逐次逼近模数转换器,其中逐次逼近数字控制逻辑采用全定制的方法,减小了数字单元的面积和功耗;比较器中的预放大器分别采用了二极管连接和开关管复位的方式将各级运放的输出短接,加快比较速度,最后一级锁存器采用改进的两级动态锁存器,进一步提升比较速度的同时降低了失调误差。实验结果表明,1.2 V电源电压下,所设计的ADC采样率达到1 MS/s,输入信号频率为12.5 kHz时,测得的输出信号信噪比为54.47 dB,SFDR为45.18 dB。 展开更多
关键词 数模转换器 逐次逼近寄存器 比较器 失调误差
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高速高精度SAR ADC电容电压系数校正 被引量:2
18
作者 宋健 张勇 李婷 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第6期760-764,共5页
基于XFAB工艺参数,设计了一种不受电容电压系数影响的高速高精度SAR ADC。在理论上定性分析了电容电压系数对高速高精度SAR ADC的影响,并使用Matlab进行定量分析。分析结果表明,1阶与2阶电容电压系数对ADC性能的影响具有不同的特点。针... 基于XFAB工艺参数,设计了一种不受电容电压系数影响的高速高精度SAR ADC。在理论上定性分析了电容电压系数对高速高精度SAR ADC的影响,并使用Matlab进行定量分析。分析结果表明,1阶与2阶电容电压系数对ADC性能的影响具有不同的特点。针对1阶电容电压系数,使用改进的分裂电容结构进行消除;针对2阶电容电压系数,使用分段数字补偿来进行校正。校正完成以后,电容电压系数引起的非线性误差可以从±11.7LSB降到±0.5LSB以下,无杂散动态范围可以提高10dB以上。 展开更多
关键词 逐次逼近 模数转换器 电容电压系数 数字补偿
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一种基于65 nm CMOS工艺的10位10 MS/s SAR ADC 被引量:3
19
作者 邓红辉 汪江 周福祥 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第3期298-303,共6页
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种10位10 MS/s逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。采用全差分的R-C组合式DAC网络结构进行设计,提高了共模噪声抑制能力和转换精度。与全电容结构相比,R-C组合式DAC网络结构有效减小了版图面积。DAC中各开... 基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种10位10 MS/s逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。采用全差分的R-C组合式DAC网络结构进行设计,提高了共模噪声抑制能力和转换精度。与全电容结构相比,R-C组合式DAC网络结构有效减小了版图面积。DAC中各开关的导通采用对称的开关时序,使比较器差分输入的共模电平保持为固定值,降低了比较器的失调电压,提高了ADC的线性度。在2.5V模拟电源电压和1.2V数字电源电压下,使用Spectre进行仿真验证,测得DNL为0.5LSB,INL为0.8LSB;在输入信号频率为4.990 2 MHz,采样频率为10 MHz的条件下,测得电路的有效位数为9.63位,FOM为0.04pJ/conv。 展开更多
关键词 逐次逼近型adc R-C组合式DAC网络 对称开关时序
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基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/s SAR ADC 被引量:2
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作者 王文捷 邱盛 徐代果 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期153-158,167,共7页
提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC... 提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm^2,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 比较器亚稳态抑制技术 转换时间复用技术
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