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题名NSD ADI放射状缺陷成因分析及改善方案研究
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作者
熊溪
赵山岭
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机构
润鹏半导体(深圳)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2025年第11期58-64,共7页
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文摘
分析表明,产品A在量产过程中,于N型源漏注入(NSD,N-type Source、Drain)光刻工艺环节持续出现放射状图形异常缺陷,且发生率高达2.2%。此缺陷可能影响后续离子注入工艺,存在导致良率损失甚至产品报废的风险。通过专项实验设计,我们深入研究了晶圆表面预处理O_(2) treatment工艺与该缺陷的形成机理,并成功开发出有效的解决方案。该方案不仅显著降低了产品A量产中的放射状图形缺陷发生率,有效规避了相关的良率损失与报废风险,同时也降低了制造成本。
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关键词
NSD
光刻
放射状图形缺陷
表面预处理
良率损失
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Keywords
NSD
lithography
spin line map pattern defect
surface pretreatment
yield loss
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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