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一种基于SOI工艺的抗辐照电源管理芯片
1
作者 刘岩 肖忠侠 +3 位作者 庞佑兵 刘登学 杨帆 杨超 《微电子学》 北大核心 2025年第4期585-591,共7页
DC/DC变换器为计算机系统、通信系统、遥测遥控系统等提供稳定的电压以及电流,其中电源管理芯片是电源系统的核心控制单元。太空中各种电磁辐射带来的辐照效应给电子装备的性能指标、可靠性、使用寿命带来了巨大挑战。随着深空探索、商... DC/DC变换器为计算机系统、通信系统、遥测遥控系统等提供稳定的电压以及电流,其中电源管理芯片是电源系统的核心控制单元。太空中各种电磁辐射带来的辐照效应给电子装备的性能指标、可靠性、使用寿命带来了巨大挑战。随着深空探索、商业航天等行业的日益发展,对电源芯片抗辐照性能的需求越来越强烈。提出的PWM控制器基于双多晶自对准SOI互补双极工艺,电路采用抗辐照设计,实现了良好的抗辐照性能。具体而言,该芯片抗总剂量大于1000 Gy(Si),抗中子注量能力大于2×10^(13)n/cm^(2)。该款芯片已应用于多个项目,对于提高电源系统的抗辐照能力发挥了重要作用。 展开更多
关键词 抗辐照 电源芯片 soi工艺 PWM控制器
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基于SOI-MEMS工艺的新型电容式三轴MEMS加速度计
2
作者 钟恺韬 韩国威 +1 位作者 赵永梅 宁瑾 《微纳电子技术》 2025年第10期85-94,共10页
设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电... 设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电容灵敏度等进行仿真。仿真结果表明,该加速度计可实现三轴检测且具有较高的灵敏度。所设计的梁结构可有效隔绝77%的位移扰动,驱动结构可实现自检测功能,限位防撞装置可确保器件安全工作。使用Bosch刻蚀工艺及气相氢氟酸(VHF)工艺完成基于绝缘体上硅(SOI)样片的器件制作。最后,对制作完成的器件进行性能测试,得到加速度计的标度因数为513270LSB/g,表明加速度计具有较高的数字输出灵敏度。器件X轴、Y轴、Z轴均方根(RMS)噪声分别为0.23、0.25和0.29mg,噪声信号功率谱密度分别为26、29和33μg/√Hz,偏置不稳定性分别为10.62、11.75和12.00μg,表明该加速度计具有较低的噪声水平和较高的三轴检测精度。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS)加速度计 电容式 三轴检测 绝缘体上硅(soi)-MEMS工艺 自检测
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补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件
3
作者 李旭泓 孙与飏 +1 位作者 刘腾 张加宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期995-1000,共6页
传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(soi) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制 宽安全工作区(SOA) 载流子电荷
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重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
4
作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(soi)工艺 单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
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高温下SOI FinFET器件总剂量效应研究
5
作者 王子豪 刘景怡 +2 位作者 袁乔枫 郝博为 安霞 《现代应用物理》 2025年第3期115-120,共6页
实验研究了高温条件下SOI(silicon-on-insulator)FinFET器件的总剂量效应,并与室温辐照结果进行了对比。实验结果表明,对于P型SOI FinFET器件,高温辐照引起的电学参数变化量小于室温辐照结果,说明高温与总剂量效应对器件电学特性的影响... 实验研究了高温条件下SOI(silicon-on-insulator)FinFET器件的总剂量效应,并与室温辐照结果进行了对比。实验结果表明,对于P型SOI FinFET器件,高温辐照引起的电学参数变化量小于室温辐照结果,说明高温与总剂量效应对器件电学特性的影响趋势相反;而对于N型SOI FinFET器件,高温辐照后器件电学参数的退化量明显大于室温辐照,即高温条件下总剂量辐照引起的器件特性退化更显著。进一步的分析表明,高温总剂量辐照引起的特性退化并不是高温与总剂量效应间的线性叠加,二者之间存在协同效应。而且,随着器件栅长的减小,高温辐照带来的器件电学特性变化越显著。 展开更多
关键词 soi FinFET 温度 总剂量效应 协同效应 栅长依赖性
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200 V高压SOI LDMOS器件设计与优化
6
作者 曲韩宾 赵永瑞 +4 位作者 师翔 唐晓龙 温恒娟 陈辰 周锌 《微处理机》 2025年第3期39-44,共6页
高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD... 高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD仿真软件Medici进行仿真,优化了漂移区和阱区掺杂剂量和漂移区长度,从而提高器件的击穿电压,降低比导通电阻,并获得合适的阈值电压和开态击穿电压值。经优化后厚栅氧SOI PLDMOS器件的击穿电压达到-235.7 V,比导通电阻达到19.6 mΩ·cm^(2),阈值电压为-36.7 V,开态击穿电压为-250 V;薄栅氧SOI NLDMOS器件的击穿电压达到276.7 V,比导通电阻达到11.5 mΩ·cm^(2),阈值电压为1.9 V,开态击穿电压为119 V。 展开更多
关键词 soi LDMOS 击穿电压 比导通电阻 阈值电压 开态击穿电压
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基于SOI认知理论的中学物理思维型教学探索
7
作者 王神姣 王长江 +1 位作者 黄李风 黄宇轩 《理科考试研究》 2025年第1期11-14,共4页
科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效... 科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效率,促进学生的思维能力的发展,促进核心素养真正落地. 展开更多
关键词 soi模式 思维型教学 互感 自感
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基于SOI超表面的全斯托克斯偏振探测器研究
8
作者 俞惟明 赵兴岩 《半导体光电》 北大核心 2025年第3期432-437,共6页
偏振探测作为表征光与物质相互作用的关键技术手段,近年来在生物医学成像、高精度光学测量及军事目标识别等领域展现出重要的应用前景。针对光电系统集成化与微型化的发展需求,文章提出一种基于绝缘体上硅(SOI)平台的全斯托克斯偏振探... 偏振探测作为表征光与物质相互作用的关键技术手段,近年来在生物医学成像、高精度光学测量及军事目标识别等领域展现出重要的应用前景。针对光电系统集成化与微型化的发展需求,文章提出一种基于绝缘体上硅(SOI)平台的全斯托克斯偏振探测器。该方案通过将SOI器件的500 nm器件层局部设计成超表面结构,并设计为pin型光电探测器以实现单片集成,成功解决了传统偏振探测系统体积庞大、集成度低的技术瓶颈。结果表明,所设计的探测器在780 nm工作波长下展现出优异的性能,手性超表面像素的圆二色性达到42%,线性超表面像素的消光比高达10 dB。值得注意的是,该器件实现了高精度的斯托克斯参数重构,其中S_(1),S_(2)和S_(3)参数的平均重构误差分别为0.30%,0.85%和11.17%。该研究不仅为集成化偏振探测系统的设计提供了新思路,同时也展现了超表面技术在光电集成领域的巨大应用潜力。 展开更多
关键词 全斯托克斯参数 集成光电探测器 soi超表面 偏振探测
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基于SOI CMOS工艺的单刀双掷射频开关电路设计
9
作者 杨震 赵鹏 刘刚 《上海电力大学学报》 2025年第3期302-308,共7页
采用0.13μm于绝缘体上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)工艺,设计了一种单刀双掷射频开关电路。该射频开关电路应用于接收发射模块,其支路为串并联拓扑结构,插入损耗较低,且隔离度高。采用负压偏置技术和晶体管堆叠技术,有效提升了开... 采用0.13μm于绝缘体上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)工艺,设计了一种单刀双掷射频开关电路。该射频开关电路应用于接收发射模块,其支路为串并联拓扑结构,插入损耗较低,且隔离度高。采用负压偏置技术和晶体管堆叠技术,有效提升了开关的功率处理能力和谐波性能。测试结果表明,在100 MHz~4.2 GHz的工作频率范围内,该射频开关的插入损耗小于0.4 dB,隔离度大于24 dB,输入0.1 dB压缩点为34 dBm,芯片尺寸为360μm×245μm。 展开更多
关键词 soi CMOS工艺 射频开关 插入损耗 隔离度
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一种高压SOI功率驱动电路抗核辐射加固设计
10
作者 宋博尊 林雨佳 荆洲 《微处理机》 2025年第5期15-22,共8页
目前,MOSFET和IGBT驱动系统在宇航级设备中应用广泛。为满足高压功率驱动器的抗辐射加固需求,设计了一种抗核辐射加固的高压功率驱动器,重点对驱动器电路中的数字逻辑电路、电平转换电路及双极电路进行了抗辐射加固设计。该电路采用商用... 目前,MOSFET和IGBT驱动系统在宇航级设备中应用广泛。为满足高压功率驱动器的抗辐射加固需求,设计了一种抗核辐射加固的高压功率驱动器,重点对驱动器电路中的数字逻辑电路、电平转换电路及双极电路进行了抗辐射加固设计。该电路采用商用1.0μm高压SOI工艺,高边悬浮电压工作范围可达600 V,具备抗总剂量≥3×10^(-3) Gy(Si)、抗中子注量≥1×10^(-14)n/cm^(2)、抗瞬时电离辐射剂量率≥1×10^(-9)Gy(Si)/s的能力,驱动电流可达2 A。辐照后器件功能与性能指标均满足系统应用要求。测试结果表明,该高压SOI功率驱动电路设计合理,满足预期性能指标。 展开更多
关键词 高压驱动电路 soi工艺 抗总剂量加固 抗中子注量加固 抗瞬时剂量率加固
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SOI全硅无引线MEMS高温压力传感器的设计 被引量：2
11
作者 吴思佳 陈士涛 +2 位作者 陈志亮 王鹏 王文婧 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第5期103-106,111,共5页
介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,... 介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,相同的热膨胀系数使得传感器工作时的热失配应力减小;采用无引线封装技术,与传统封装技术相比,其减小了器件尺寸。设计传感器的压力量程为0~35 kPa,且能够在-40~200℃的温度范围内正常工作,满量程输出高于90 mV。 展开更多
关键词 微机电系统 绝缘体上硅 全硅 无引线封装 高温压力传感器
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究 被引量：2
12
作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(soi) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究
13
作者 杜川华 段丙皇 +1 位作者 熊涔 曾超 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期66-72,共7页
基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集... 基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集成电路的瞬时γ剂量率辐射试验,测试了不同剂量率条件下的电路功能、电参数和触发器链状态。研究表明:在相同激光能量条件和相同特征尺寸条件下,SOI晶体管的光电流峰值约为体硅晶体管的3.5%;SOI集成电路在1.0×10^(9)~4.2×10^(11) rad(Si)·s^(-1)的试验剂量率范围内无闭锁效应,但存在显著的翻转效应,表现为功能短暂中断、电流和电压波动以及大量触发器状态错误。翻转效应的主要原因包括晶体管本身的翻转和印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)板级电路的电压波动。 展开更多
关键词 soi晶体管 微控制器 瞬时电离辐射效应 光电流
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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
14
作者 黄磊 李健根 +2 位作者 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期277-281,共5页
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj... 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 soi 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压
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100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
15
作者 王永维 黄柯月 +2 位作者 温恒娟 陈浪涛 周锌 《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。 展开更多
关键词 soi LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压
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SOI光电子集成 被引量：4
16
作者 余金中 严清峰 +2 位作者 夏金松 王小龙 王启明 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期1-7,共7页
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无... SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。 展开更多
关键词 soi 光电子集成电路 光波导 soi光波导开关 阵列波导光栅 soi基光探测器
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热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响
17
作者 李培仪 刘东 +3 位作者 雷程 梁庭 党伟刚 罗后明 《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期170-176,共7页
采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后... 采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后数据进行对比。结果表明,300℃加电老化情况下,芯片稳定输出的时间为12h,且老化后芯片的各项指标均有改善。在温度允许范围内,适当的老化温度可以使芯片达到稳定输出状态,提升工作效率的同时为优化SOI基压阻芯片的老化时间提供了参考。 展开更多
关键词 传感器 绝缘体上硅(soi)基压阻芯片 正装芯片 倒装芯片 老化
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3D-SOI像素芯片逻辑层的设计与实现
18
作者 郑炜达 周扬 +6 位作者 卢云鹏 徐畅 周佳 章红宇 董静 董明义 欧阳群 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第5期791-798,共8页
环形正负电子对撞机(CEPC)实验对顶点探测器的空间分辨率提出了极为苛刻的要求。SOI像素传感器芯片CPV-4使用了3D堆叠技术来满足CEPC需要的高空间分辨率。本文主要研究在3DSOI技术下CPV-4的逻辑层电路设计与验证。逻辑层作为CPV-43D芯... 环形正负电子对撞机(CEPC)实验对顶点探测器的空间分辨率提出了极为苛刻的要求。SOI像素传感器芯片CPV-4使用了3D堆叠技术来满足CEPC需要的高空间分辨率。本文主要研究在3DSOI技术下CPV-4的逻辑层电路设计与验证。逻辑层作为CPV-43D芯片的上层部分包含粒子击中信息的存储和读出功能,采用了紧凑的像素逻辑设计和高效的优先级编码读出逻辑设计。测试系统基于IPBUS协议实现了逻辑交互、数据传输和用户界面的软硬件功能,同时开发了模仿逻辑层功能和接口的仿真器模块。通过对仿真器模块、单独的上层芯片以及3D堆叠后的片上逻辑层进行对比测试,完整验证了片上逻辑层的电路功能,并证明了3D堆叠的键合、减薄和顶层金属化等工艺步骤对片上逻辑层没有不利影响。3D-SOI像素芯片的逻辑电路设计和3D堆叠技术研发取得了初步进展。 展开更多
关键词 CEPC 顶点探测器 3D-soi 芯片测试
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SOI CMOS器件及其应用 被引量：1
19
作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2005年第4期52-54,共3页
介绍SOI技术及其形成方法。介绍SOICMOS器件的优点、全耗尽(FD)SOICMOS器件的特点及其应用。
关键词 soi技术 soi CMOS器件 薄膜soi CMOS器件 应用
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SDB-SOI制备过程中工艺控制
20
作者 刘洋 《电子工业专用设备》 2024年第3期20-23,共4页
SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加... SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加工难度,最终制备出高质量的产品。 展开更多
关键词 硅晶圆 绝缘衬底上硅(soi) 键合 磨削
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