SiC MOSFET具有低导通电阻、低开关损耗、高开关频率以及优异的反向恢复特性。器件过快的开关速度,会导致严重的开关过冲、振荡和串扰。此外其短路承受能力弱,需要保护电路具备更快的响应速度,但较高的开关变化率,又使得保护电路的快速...SiC MOSFET具有低导通电阻、低开关损耗、高开关频率以及优异的反向恢复特性。器件过快的开关速度,会导致严重的开关过冲、振荡和串扰。此外其短路承受能力弱,需要保护电路具备更快的响应速度,但较高的开关变化率,又使得保护电路的快速响应与抗噪声能力难以兼顾。为确保其安全可靠工作,该文提出基于多段式电平调控的驱动与保护方法。驱动方法解决开关过程多个目标的协同优化问题,在获得较快的开关速度和低损耗的同时,有效地抑制过冲和振荡;保护方法提出了增加补偿回路的导通压降检测电路,降低了温度和负载变化对检测精度的影响,同时提出了两段式降低栅压的关断方法,增大故障检测盲区时间以降低干扰噪声影响,并采用软关断技术,抑制关断过电压。展开更多