期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到157篇文章
< 1 2 … 8 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
栅调控多晶硅电导及场发射特性研究
1
作者 王铭律 徐海涛 +6 位作者 应文静 赖紫怡 朱顺威 叶秋枫 方泽波 刘景全 王跃林 《功能材料与器件学报》 2026年第2期64-70,共7页
以多晶硅作为阴极材料来制备平面电子管,具有工艺简单且与集成电路工艺兼容的优点,可显著简化平面电子管的制造工艺并降低制造成本,有望推动平面电子管集成电路的发展。为研究多晶硅阴极平面电子管的场发射特性及其调控机制,本文通过测... 以多晶硅作为阴极材料来制备平面电子管,具有工艺简单且与集成电路工艺兼容的优点,可显著简化平面电子管的制造工艺并降低制造成本,有望推动平面电子管集成电路的发展。为研究多晶硅阴极平面电子管的场发射特性及其调控机制,本文通过测试多晶硅薄膜的电流响应,分析其在背栅调控下电子密度的变化规律,并探讨漏极电压对调控效果的影响。在此基础上,进一步研究多晶硅阴极的场发射电流与背栅调控电压之间的关系,实现背栅对多晶硅阴极场发射电流的有效调控,同时验证该场发射电流特性与电子密度之间的正相关性。研究结果为多晶硅平面电子管的研制奠定了基础。 展开更多
关键词 多晶硅 电子密度 栅极调控 平面电子管 场发射
在线阅读 下载PDF
基于碳化硅器件的电力电子变压器单元设计 被引量：2
2
作者 徐海 张雨莹 刘祥洋 《电力电子技术》 2025年第2期23-26,共4页
电力电子变压器(PET)因便于模块化集成、接口灵活丰富而不失为一种变压器的良好替代方案。第3代半导体材料碳化硅(SiC)的发展为PET在中高压领域的应用拓展了道路,同时现场可编程门阵列(FPGA)的快速高精度并行处理和多通道输出为实现变... 电力电子变压器(PET)因便于模块化集成、接口灵活丰富而不失为一种变压器的良好替代方案。第3代半导体材料碳化硅(SiC)的发展为PET在中高压领域的应用拓展了道路,同时现场可编程门阵列(FPGA)的快速高精度并行处理和多通道输出为实现变换器简捷精确的控制拓展了可能。本文提出一种PET单元的设计,包括Boost PFC整流单元、对称结构的CLLLC谐振变换单元以及逆变单元。首先对各单元进行理论分析及参数设计,然后通过Matlab/Simulink搭建仿真模型进行验证,最后采用SiC MOSFET搭建CLLLC谐振变换器单元及逆变单元实物。仿真及实验结果表明该单元设计具有可行性,为采用新器件构建PET提供了一种可能。 展开更多
关键词 电力电子变压器 碳化硅 现场可编程门阵列 谐振变换单元
在线阅读 下载PDF
抑制碳化硅MOSFET阈值电压漂移的驱动电路 被引量：1
3
作者 赵柯 蒋华平 +6 位作者 汤磊 钟笑寒 谢宇庭 胡浩伟 肖念磊 黄诣涵 刘立 《重庆大学学报》 北大核心 2025年第9期50-56,共7页
碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的阈值电压漂移严重影响了其在应用中的可靠性。针对该问题,文中总结了碳化硅MOSFET阈值电压漂移的特点与现有的理论模型,提出抑制阈... 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的阈值电压漂移严重影响了其在应用中的可靠性。针对该问题,文中总结了碳化硅MOSFET阈值电压漂移的特点与现有的理论模型,提出抑制阈值电压漂移的驱动方法与驱动电路。该驱动电路通过引入中间电平的方式,将被控器件关断动态过程与关断稳态后的栅极电压区分开来,以此来达到降低碳化硅MOSFET的阈值电压漂移量的目的,同时还可以保留负栅极关断电压的优势。搭建了实验平台来验证该驱动电路对碳化硅MOSFET阈值电压漂移的抑制效果,结果表明,在文中的实验条件下该驱动电路相比于传统的驱动方式阈值电压漂移量降低了37%。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件 阈值电压 栅极驱动器
在线阅读 下载PDF
基于EMR信号的SiC MOSFET栅氧化层退化状态监测方法
4
作者 李巍 杜明星 《天津理工大学学报》 2025年第2期57-64,共8页
栅氧化层退化是碳化硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)最常见的失效形式之一,栅氧化层状态监测是电力电子系统稳定运行的重要保证。因此,文中提出了... 栅氧化层退化是碳化硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)最常见的失效形式之一,栅氧化层状态监测是电力电子系统稳定运行的重要保证。因此,文中提出了一种基于电磁辐射(electromagnetic radiation,EMR)信号的SiC MOSFET栅氧化层退化状态监测方法。首先在SiC MOSFET导通过程分析基础上,推导出栅氧化层老化程度与漏极电流变化率之间的关系;其次,把SiC MOSFET模块当作一个磁偶极子,测量其EMR信号,分析可知栅氧化层老化会引起EMR信号频谱幅值减小;最后,以SiC MOSFET组成的Buck变换器为被测对象,利用近场探头捕获EMR信号,根据其频谱幅值监测栅氧化层退化的程度。实验结果表明,SiC MOSFET栅氧化层退化对低频段的EMR信号频谱影响较大,在谐振点6.3 MHz附近出现峰值,并且随着栅氧化层老化程度加深,EMR信号频谱幅值也相应减小。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅氧化层老化 电磁辐射
在线阅读 下载PDF
轨道交通牵引级全碳化硅器件选型及应用研究
5
作者 陈燕平 李诚瞻 +3 位作者 王忠宝 忻兰苑 翟龙 李华 《机车电传动》 2025年第3期119-125,共7页
中国中车基于平面栅技术推出了面向轨道交通等领域的3300 V高压全碳化硅器件。为提升牵引系统性能,文章从芯片方案选型、关键工艺技术选择和器件封装技术选择,如低电感设计、高温可靠性与热设计等几方面进行了器件特性研究,并对器件进... 中国中车基于平面栅技术推出了面向轨道交通等领域的3300 V高压全碳化硅器件。为提升牵引系统性能,文章从芯片方案选型、关键工艺技术选择和器件封装技术选择,如低电感设计、高温可靠性与热设计等几方面进行了器件特性研究,并对器件进行了可靠性评估分析与面向轨道交通的装车应用研究。研究结果表明,器件达到市场主流产品性能;与IGBT器件相比具有明显的应用优势,可显著减小牵引变流器重量与体积,有效降低系统损耗,提升系统效率,降低电机温升与噪声。 展开更多
关键词 全碳化硅器件 轨道交通 牵引系统 平面栅 封装技术
原文传递
反熔丝的研究与应用 被引量：20
6
作者 王刚 李平 +3 位作者 李威 张国俊 谢小东 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期30-33,共4页
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工... 综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。 展开更多
关键词 反熔丝 氧化物-氮化物-氧化物 非晶硅 栅氧化层 反熔丝PROM 反熔丝FPGA
在线阅读 下载PDF
a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善 被引量：4
7
作者 杨澍 荆海 +1 位作者 付国柱 马凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期565-571,共7页
第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在... 第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。 展开更多
关键词 电泳显示器 不定形硅双栅薄膜晶体管 漏电流 响应时间 SPICE模拟
在线阅读 下载PDF
纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构 被引量：1
8
作者 李小明 韩伟华 +2 位作者 张严波 陈燕坤 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期689-696,共8页
介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应... 介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率;最后介绍了悬浮硅纳米线通过热氧化诱导形成应变沟道的方法,并对应力来源进行了分析。纳米结构CMOS晶体管由平面沟道结构向立体沟道结构转变,将成为器件未来主流的发展方向。 展开更多
关键词 场效应晶体管 多栅结构 应变 硅纳米线 围栅
原文传递
SiC肖特基栅JFET功率特性的研究 被引量：2
9
作者 张林 肖剑 +1 位作者 谷文萍 邱彦章 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期556-559,共4页
提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真。结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构... 提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真。结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构可以有效降低SiC JFET的开态电阻;与常规结构的双极模式SiC JFET相比,在SiC肖特基栅JFET的栅极正偏注入载流子,同样可以有效降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性,但不会延长开关时间。 展开更多
关键词 碳化硅 结型场效应晶体管 肖特基栅
原文传递
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述 被引量：15
10
作者 宁圃奇 李磊 +1 位作者 曹瀚 温旭辉 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期1-9,共9页
综述了基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件,总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现Si IGBT的零电压开通和零电压关断,大幅缩短Si IGBT的... 综述了基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件,总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现Si IGBT的零电压开通和零电压关断,大幅缩短Si IGBT的拖尾电流时间,降低开关损耗,并可实现高频运行。该类混合开关器件还利用了Si IGBT的导通特性优势,与同规格纯SiC器件相比成本大幅降低。部分文献的仿真与实验结果验证了该类器件的优异特性,所开发的示范性样机具有较高使用价值,一定程度上可满足同时需求高频开关和中、大功率的应用。 展开更多
关键词 碳化硅芯片 混合开关 门极驱动 功率模块 变频器
在线阅读 下载PDF
车用大功率电力电子器件研究进展 被引量：6
11
作者 温旭辉 宁圃奇 +3 位作者 孟金磊 张瑾 刘钧 孔亮 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期69-73,共5页
车用电机驱动变流器是电动汽车电机驱动的关键部件,大功率电力电子器件是其核心。对比分析了国内外电动车辆用电机驱动变流器的拓扑结构、变流器控制特点及体积功率密度等关键指标,指出车用电机驱动变流器的技术创新重点在于硅基绝缘栅... 车用电机驱动变流器是电动汽车电机驱动的关键部件,大功率电力电子器件是其核心。对比分析了国内外电动车辆用电机驱动变流器的拓扑结构、变流器控制特点及体积功率密度等关键指标,指出车用电机驱动变流器的技术创新重点在于硅基绝缘栅双极性晶体管(IGBT)芯片及封装技术持续改进碳化硅(Si C)器件的应用。综述了硅基IGBT芯片的演进和IGBT模块封装技术的创新,介绍了碳化硅器件的技术特点。 展开更多
关键词 电动汽车 变流器 绝缘栅双极性晶体管 碳化硅器件
原文传递
高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究 被引量：2
12
作者 许立军 张鹤鸣 杨晋勇 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期753-758,共6页
高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对... 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 MOSFET 漏致势垒降低 应变硅 高K栅介质 SOI 肖特基
在线阅读 下载PDF
浮栅型单电子存储器的等效电路模型 被引量：1
13
作者 周少华 熊琦 +2 位作者 曾健平 晏敏 曾云 《宇航计测技术》 CSCD 2010年第4期54-57,18,共5页
在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下... 在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态。仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的"读"和"写"状态。 展开更多
关键词 等效电路 集总电容 浮栅型硅量子点 单电子存储器
在线阅读 下载PDF
MRI磁场对小动物PET空间分辨率影响的仿真研究 被引量：2
14
作者 徐桓 胡红波 +2 位作者 鲁家豪 孟奥 赵庆军 《中国医学装备》 2018年第7期40-44,共5页
目的:研究不同强度的磁场对正电子自由程以及小动物正电子发射断层成像(PET)的空间分辨率的影响。方法:利用蒙特卡罗工具GATE软件建立磁兼容的小动物PET仿真模型,对放射性核素18F、11C、13N、15O及22Na在人体中水、肺、骨不同物质的正... 目的:研究不同强度的磁场对正电子自由程以及小动物正电子发射断层成像(PET)的空间分辨率的影响。方法:利用蒙特卡罗工具GATE软件建立磁兼容的小动物PET仿真模型,对放射性核素18F、11C、13N、15O及22Na在人体中水、肺、骨不同物质的正电子自由程进行仿真,并依据美国电气制造商协会(NEMA)NU4-2008标准要求对PET空间分辨率进行测量,分析磁场对自由程和空间分辨率的影响。结果:磁场对不同核素正电子自由程和空间分辨率的影响不同,对于18F和22Na等低能核素,9.4 T场强下自由程则分别减少24.5%和20.9%,但空间分辨率并无显著改变。对于15O和11C高能核素,自由程则分别减少61.5%和42.2%,空间分辨率也随着场强增加而提升,但在场强>7 T后基本趋于稳定。结论:小动物PET的空间分辨率在垂直磁场方向有一定提升,提升的幅度与正电子自由程和磁场强度相关。 展开更多
关键词 正电子发射断层成像 硅基光电倍增管 GATE软件 仿真 空间分辨率 磁场强度
暂未订购
高介电常数栅介质的性能及与硅衬底间的界面稳定性 被引量：6
15
作者 屠海令 杜军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期265-278,共14页
二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的硅/二氧化硅界面而长期用于硅集成电路的制备。然而对于纳米线宽的集成电路,需要寻找新的高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅,以保持一定的物理厚度和优良的耐压及漏电性能。这些栅极候... 二氧化硅由于具有良好的绝缘性能及稳定的硅/二氧化硅界面而长期用于硅集成电路的制备。然而对于纳米线宽的集成电路,需要寻找新的高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅,以保持一定的物理厚度和优良的耐压及漏电性能。这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,高质量的表面形貌和热稳定性并与硅衬底间有良好界面。此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容。本文从固体物理和材料科学理论出发,阐述选择高k栅介质材料的基本原则,介绍目前研究的材料体系、制备方法、材料性能以及界面稳定性,并展望了这些高k栅介质材料的应用前景。 展开更多
关键词 高K栅介质 性能 界面 硅技术
在线阅读 下载PDF
Al:Ti合金栅a-Si TFT研究 被引量：1
16
作者 熊绍珍 赵颖 +6 位作者 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期771-775,共5页
本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的... 本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率． 展开更多
关键词 半导体 铝钛合金栅 硅栅器件 α-硅 TFT
在线阅读 下载PDF
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究 被引量：2
17
作者 张化福 祁康成 +3 位作者 袁玉珍 刘汉法 类成新 魏功祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期602-605,609,共5页
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功... 以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 栅绝缘层 SiN薄膜
在线阅读 下载PDF
100V N沟道VDMOS寄生电容研究 被引量：1
18
作者 唐昭焕 刘勇 +3 位作者 胡永贵 羊庆玲 杨永晖 谭开洲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期457-460,共4页
从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关... 从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关断时间变化4.9ns和多晶线宽每变化0.2μm,关断时间变化2.7 ns的结论,与实际测试结果吻合较好。将该结论用于100 V/N沟道VDMOS器件关断时间的精确控制,关断时间控制精度达到±10 ns,满足VD-MOS芯片制造要求。 展开更多
关键词 VDMOS 寄生电容 关断时间 栅氧 多晶线宽
原文传递
SiC功率器件与电路中的栅介质技术 被引量：1
19
作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 李跃进 柴常春 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期394-398,共5页
目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制。本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界... 目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制。本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 界面态 复合栅介质
在线阅读 下载PDF
硅栅CMOS集成电路测试图形的研究
20
作者 桂力敏 贺德洪 +6 位作者 丁瑞军 董胜强 谢嘉慧 陈承 陈康民 陈谷平 徐士美 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第1期53-63,共11页
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。
关键词 硅栅 CMOSIC 测试图形 组合结构
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 8 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部