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共沉淀法SnO_2-WO_3粉体的气敏性能研究R&D 被引量:16
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作者 牛新书 刘艳丽 +1 位作者 胡平 徐甲强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期10-12,共3页
采用化学共沉淀法制得不同掺杂量的SnO2-WO3粉体,探讨了掺杂量、热处理温度、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现:SnO2的添加抑制了WO3晶粒的生长,提高了其气体灵敏度。其中以0.5%(质量分数)的掺杂量为最佳,可进行H2S气体的选... 采用化学共沉淀法制得不同掺杂量的SnO2-WO3粉体,探讨了掺杂量、热处理温度、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现:SnO2的添加抑制了WO3晶粒的生长,提高了其气体灵敏度。其中以0.5%(质量分数)的掺杂量为最佳,可进行H2S气体的选择性检测。 展开更多
关键词 三氧化钨 二氧化锡 气体传感器 化学共沉淀法 粉体 气敏性能
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设备部件延寿的灰色多指标畸变预测模型 被引量:1
2
作者 李强 刘思峰 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期597-605,共9页
针对设备部件延寿预测问题,首先,提出了上下限两种异常畸变指标,并给出灰色多指标延寿畸变预测模型的架构图和延寿预测示意图。其次,运用灰色系统方法分别构建了两阶段灰色预测模型,在第一阶段构建了灰色上下限畸变预测模型,得到下一次... 针对设备部件延寿预测问题,首先,提出了上下限两种异常畸变指标,并给出灰色多指标延寿畸变预测模型的架构图和延寿预测示意图。其次,运用灰色系统方法分别构建了两阶段灰色预测模型,在第一阶段构建了灰色上下限畸变预测模型,得到下一次发生畸变的日期;在第二阶段构建了GM(1,1)模型,对设备部件延寿以及上下限指标的异常值进行预测。同时,对模型的预测精度进行检验和分析,并根据模型的预测结果确定了设备部件延寿的时间。最后,以半导体制造业设备靶材延寿为实际应用案例,验证了该模型的有效性和可行性,为合理制定部件的最优维护更换时间以及对降低企业运维成本具有重要指导意义。 展开更多
关键词 设备延寿 剩余寿命 灰色畸变预测 半导体靶材
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Nb掺杂浓度对BaTiO_3陶瓷半导化的影响 被引量:1
3
作者 刘宏 赵超 《山东轻工业学院学报(自然科学版)》 CAS 1991年第2期23-29,共7页
本文就Nb掺杂BaTiO_3陶瓷中电阻率分布不均匀现象进行了实验研究,结果表明在掺杂量处在半导化组分附近的样品中电阻率分布存在有规律的分层现象,在此基础上对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的室温电阻率随掺杂量的变化规律作出了新解释,并对分层... 本文就Nb掺杂BaTiO_3陶瓷中电阻率分布不均匀现象进行了实验研究,结果表明在掺杂量处在半导化组分附近的样品中电阻率分布存在有规律的分层现象,在此基础上对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的室温电阻率随掺杂量的变化规律作出了新解释,并对分层现象形成的原因作了初步探讨。 展开更多
关键词 BATIO3陶瓷 半导体 施主掺杂 NB
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半导体感应加热电源 被引量:4
4
作者 林渭勋 《基础自动化》 CSCD 1997年第4期1-5,共5页
分析了我国传统感应加热电源存在的问题,说明加热电源半导体化是其发展目标,阐述国内为实现这一目标所做的工作及其展望。
关键词 感应加热电源 半导体 电源
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耗尽型选择性掺杂异质结晶体管
5
作者 陈定钦 张晓玲 +2 位作者 熊思强 高翠华 周帆 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第1期100-102,共3页
设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm... 设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm^2/v·s。测量了具有栅长1.2—1.5μm,栅宽2×180μm耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下g_m=110~130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。 展开更多
关键词 异质结晶体管 掺杂 MBE材料 晶体管
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P-型金刚石半导体制备及其性能研究
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作者 王和照 姜柳笛 张建军 《微细加工技术》 1995年第2期51-55,共5页
利用热丝化学气相沉积法,以硼酸三甲酯为液态掺杂源,用H_2携带,制备出高质量的p型金刚石薄膜。经检测,其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明,硼掺杂浓度是6.5×10 ̄(19)cm ̄(-3)室温下... 利用热丝化学气相沉积法,以硼酸三甲酯为液态掺杂源,用H_2携带,制备出高质量的p型金刚石薄膜。经检测,其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明,硼掺杂浓度是6.5×10 ̄(19)cm ̄(-3)室温下空穴载流子浓度是8×10 ̄(16)cm ̄(-3),电离率为1.23/1000。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 半导体 制备 掺杂 半导体材料
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II-VI型量子点在分析中的应用 被引量:2
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作者 任国兰 柴宜民 +2 位作者 韩素琴 任荣芳 刘二保 《山西师范大学学报(自然科学版)》 2003年第3期39-42,共4页
量子点是半径小于或接近于激子玻尔半径的一类半导体纳米粒子,具有宽的激发光谱、窄的发射光谱、可精确调谐的发射波长、可忽略的光漂白等优越的荧光特性,是一类理想的荧光探针.本文就II-VI型量子点在分析应用中最新进展做一简要的评述.
关键词 半导体纳米粒子 Ⅱ-Ⅵ型量子点 荧光特性 荧光探针 激发光谱 发射波长
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用于太阳电池的p-ZnTe/n-CdTe异质结的研究
8
作者 吴平 康琳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期161-166,共6页
从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧... 从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧形成凹口。当热平衡时,由于导带中电子从 n 区到 p 区所遇到的势垒大于价带中空穴从 p 区到 n 区的势垒,所以,通过势垒的主要是空穴流。讨论了 p-Zn-Te/n-CdTe 异质结的制作方法及工艺问题。最后,给出了测试结果。 展开更多
关键词 太阳电池 化合物半导体 异质结
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时间延迟积分型面阵CMOS图像传感器MTF速度失配模型研究 被引量:12
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作者 袁高斌 李斌桥 +1 位作者 徐江涛 聂凯明 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期17-23,共7页
研究了时间延迟积分型面阵互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器调制传递函数(MTF)速度失配特性,在分析累加级数、像素尺寸、镜头放大倍数、行周期及电机运动速度失配等影响因素的基础上,建立了MTF速度失配模型。基于现场可编程门阵列(... 研究了时间延迟积分型面阵互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器调制传递函数(MTF)速度失配特性,在分析累加级数、像素尺寸、镜头放大倍数、行周期及电机运动速度失配等影响因素的基础上,建立了MTF速度失配模型。基于现场可编程门阵列(FPGA)开发板,搭建面阵CMOS图像传感器实现线阵时间延时积分(TDI)的CMOS测试系统。实验结果表明,在光强为3lx,速度失配M(ΔV/V)<2,8级时间延迟积分与面阵成像相比,MTF值提高50%;当累加级数为8级,速度失配满足M(ΔV/V)=2的速度失配容限时,奈奎斯特频率处的MTF值下降10%,当速度失配达到M(ΔV/V)=10时,MTF值下降35%。 展开更多
关键词 传感器 互补金属氧化物半导体图像传感器 时间延迟积分 调制传递函数速度失配模型 速度失配容限
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一种实时CIS暗电流校正方法及系统实现 被引量:4
10
作者 孙权 姚素英 郑炜 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期21-27,共7页
为了减弱暗电流对互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(简称CIS)图像质量的影响,本文基于图像处理的方式提出了一种实时校正CMOS图像传感器暗电流的方法,并在一个最高帧频(50f/s)的4晶体管像素结构CMOS图像传感器内集成了该方法的... 为了减弱暗电流对互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(简称CIS)图像质量的影响,本文基于图像处理的方式提出了一种实时校正CMOS图像传感器暗电流的方法,并在一个最高帧频(50f/s)的4晶体管像素结构CMOS图像传感器内集成了该方法的电路。测试结果表明,该方法获得了准确的暗电平,并且实时消除了75%以上暗电流引入的固定模式噪声(FPN,fixed pat-tern noise),大大改善了图像质量。 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS) 图像处理 暗电流校正 固定模式噪声(FPN) 暗电平校准
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Crystal structure,dielectric,ferroelectric and energy storage properties of La-doped BaTiO_(3) semiconducting ceramics 被引量:1
11
作者 Venkata Sreenivas Puli Patrick Li +1 位作者 Shiva Adireddy Douglas B.Chrisey 《Journal of Advanced Dielectrics》 CAS 2015年第3期65-73,共9页
Polycrystalline La-doped BaTiO_(3)(Ba_(1-x)La_(x)TiO_(3))[x¼0;0:0005;0:001;0:003]ceramics(denoted as BTO,BLT1,BLT2,BLT3)were synthesized by conventional solid-state reaction method and characterized by X-ray diff... Polycrystalline La-doped BaTiO_(3)(Ba_(1-x)La_(x)TiO_(3))[x¼0;0:0005;0:001;0:003]ceramics(denoted as BTO,BLT1,BLT2,BLT3)were synthesized by conventional solid-state reaction method and characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),and Raman spectroscopy.XRD and Raman spectra revealed single-phase tetragonal perovskite crystalline structure.Well-saturated polarization–electric field(P–E)hysteresis loops were observed with the measurement frequency of 50Hz at room temperature and confirmed ferroelectric nature of these ceramics and a high recoverable electrical energy storage density of 0.350J/cm^(3) with energy efficiency(n)-9%,which is useful in energy storage capacitor applications.Dielectric studies revealed anomalies around 415–420K and near the Curie temperature.The latter is attributed to the ferroelectric to paraelectric phase transition.Better dielectric performances were obtained for La-doped samples sintered at 1350℃ for 4h.Grain growth is inhibited with lanthanum(La)incorporation into the BTO lattice.Room temperature semiconducting behavior with positive temperature coefficient of resistivity(PTCR)behavior at TC is attributed to electron compensation mechanism. 展开更多
关键词 BaTiO_(3) DOPING FERROELECTRIC energy storage semicoductor PTCR
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基于F-P滤波器的多波长时钟提取 被引量:2
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作者 王廷宇 于晋龙 +2 位作者 韩丙辰 罗俊 杨恩泽 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1138-1140,共3页
提出一种简单的全光单一链路的多波长时钟同时提取方案。利用Fabry-Perot(F-P)滤波器对波分复用(WDM)系统中多波长的归零(RZ)码信号进行时钟提取,滤波器后面接半导体光放大器(SOA)对F-P滤波器提取出的时钟进行整形处理,通过实验证实了用... 提出一种简单的全光单一链路的多波长时钟同时提取方案。利用Fabry-Perot(F-P)滤波器对波分复用(WDM)系统中多波长的归零(RZ)码信号进行时钟提取,滤波器后面接半导体光放大器(SOA)对F-P滤波器提取出的时钟进行整形处理,通过实验证实了用F-P滤波器对两路不同波长的10 Gbps信号时钟提取的可行性以及同一SOA同时处理双波长时钟的能力,两路提取时钟的单边带相位噪声分别达到-82.815和-83.072dBc/Hz@10 kHz。 展开更多
关键词 多波长全光时钟提取 F-P滤波器 半导体光放大器(SOA) 波分复用(WDM)
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层次分析法在半导体物理实验课成绩评分中的应用 被引量:4
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作者 陈平 《数学的实践与认识》 CSCD 北大核心 2004年第7期12-18,共7页
描述了影响半导体物理实验课评分的五个指标 ,介绍了层次分析法的原理 ,并将它应用到半导体物理实验课的评分中 ,建立了完善的、科学的评分方法 .最后列举了对九七级学生的评分实践 ,实践表明这种方法效果良好 .
关键词 层次分析法 评分指标 加权系数 标度矩阵 正互反矩阵 最大特征值
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